パワーデバイス開発エンジニア(3)

MUST

• 半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 (半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス設計/試作経験)
• 半導体デバイス開発未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとして スキルアップに取り組める方 WANT
• ウエハレベル電気特性測定スキル
• TEG(Test Element Group)レイアウト設計スキル ルネサスは、「To Make Our Lives Easier(人々の暮らしをより豊かで快適にする)」というPurposeのもと、組込み半導体ソリューションを提供するグローバル企業です。世界30か国以上で活躍する21,000人を超えるエンジニアや課題解決のプロフェッショナルとともに、自動車、産業、インフラ、IoT分野における世界最先端のテクノロジー開発に携わり、より安全で、健康的で、環境にやさしく、スマートな未来の実現に貢献しています。

ルネサスでは、「TAGIE(Transparent、Agile、Global、Innovative、Entrepreneurial)」を企業文化の中核としています。TAGIEは、私たちの働き方や成長のあり方、そしてPurposeの実現に向けた取り組みを支える共通の価値観です。この協調的な精神と挑戦するマインドセットが、半導体技術を通じた産業の変革と、世界中の人々の暮らしへの貢献を可能にしています。

私たちは、競争力のある報酬制度に加え、充実した福利厚生をご用意しています。