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東京科学大学神奈川県・関東

筒井研究室

工学院 電気電子系

教授 筒井 一生

研究内容

  • パワー半導体デバイス
  • AlGaN/GaN HEMT
  • シリコンIGBT
  • 結晶成長
  • 半導体プロセス
  • 不純物ドーピング

A以上の学会発表6件 · 2020–2024年

  • 2024年2件
  • 2023年1件
  • 2021年1件
  • 2020年2件