研究内容
- 窒化物半導体結晶成長
- GaNパワーデバイス
- GaN系NEA半導体フォトカソード
- 紫外・可視レーザダイオード
- 発光ダイオード(LED)
- AlGaInNヘテロエピタキシ
A以上の学会発表18件 · 2019–2026年
- 2026年2件
- 2025年12件
- 2023年1件
- 2021年1件
- 2020年1件
- 2019年1件
- ICNSSInternational Conference on Nitride Semiconductors10件2025年
- EDTMAIEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference3件2021年
- IWNSInternational Workshop on Nitride Semiconductors2件2026年
- IEDMSSIEEE International Electron Devices Meeting2件2025年
- IRMMW-THzAInternational Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves1件2025年
共同研究先1社
- 旭化成共著 · 2025年