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早稲田大学福岡県・九州

志村研究室(半導体デバイス材料工学研究室)

Semiconductor Device Materials Engineering Laboratory

大学院情報生産システム研究科(電子物理システム学専攻 併任)

教授 志村 考功

研究内容

  • 半導体デバイス材料工学
  • GeSnなどIV族半導体光電子融合デバイス
  • SiCワイドバンドギャップパワーデバイス
  • X線トポグラフィ結晶評価
  • Ge系熱電デバイス

登録装置

装置の出典:shimura-lab.w.waseda.jp