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関西大学大阪府・関西

パワー半導体工学研究室

システム理工学部 グリーンエレクトロニクス工学科

教授 上田 哲三

研究内容

  • 次世代パワー半導体材料
  • パワー半導体デバイス
  • GaNパワーデバイス高速化
  • GaNパワーデバイス低抵抗化
  • SiCパワーデバイス低抵抗化