【横浜/山梨】光半導体デバイス設計エンジニア

ポジション概要

光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等)の構造設計・評価を担うエンジニアを募集します。顧客要求仕様をベースに、量子井戸構造・屈折率分布・共振器長などの設計を行い、試作・評価を経て製品化まで一貫して関わっていただきます。具体的な仕事内容

主な業務・光半導体デバイスの構造設計(量子井戸の材料組成・深さ・幅、屈折率分布、共振器長などの最適化)・シミュレーションおよび古典的手法を組み合わせた特性設計(自作プログラム/市販ソフトを活用)・試作品の特性評価・信頼性評価・プロセス開発部との協働によるプロセス課題の解決・製品開発部経由で届く顧客要求仕様との整合、設計アウトプットの調整

現在の主要開発領域・EML(変調器集積レーザ):現行100Gb/s → 直近目標200Gb/s → 将来300〜400Gb/s・CWレーザ:AIデータセンタ向けの高出力化と低消費電力化の両立・波長可変レーザ:データセンタ間コヒーレント通信向け(~120km対応)

必要な専門知識量子力学/光学・光工学/半導体デバイス物理(PN接合、電界吸収、干渉効果)/電気・電子工学/応用物理

開発フロー(目安)顧客仕様提示 → 設計 → 試作・評価 → 製造部門への移管 → 量産 (仕様提示から納品まで約2年)(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション光ファイバ通信用光半導体デバイスではInGaAsP系の材料が用いられており、与えられた材料を「使い倒す」設計によってコストと性能の両立を極めることを期待します。次世代EMLの高速化、CWレーザの高出力・低消費電力化、波長可変レーザの長距離対応など、5〜10年先の事業の柱となるデバイスを設計する中核メンバーとしての活躍を求めています。キャリアパス実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化があります(現任部長自身が入社1年目のPJで製品化を実現)。数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描けます。組織構成光素子設計部(部長含め17名体制)・第一設計課(山梨):9名・第二設計課(横浜):7名

※拠点による配置で製品による分担ではありません。両拠点で同等の設計業務を担当しています。年齢構成は、30〜40歳以下が約半数、50歳以上が約半数で、中間層(40〜50歳)が薄い状態。5年ほど前にキャリア入社した中堅メンバーが指導役として活躍し、その指導を受けた若手も学会発表を行うなど、育成のサイクルが回り始めています。本ポジションの魅力

技術面・日本国内トップ、世界でも競合は数社のみの希少なポジションで、AIブームを支える光通信インフラの最前線に関わる・大学では研究費の制約で計算止まりになりがちなテーマが、製品として世に出る醍醐味・制約された材料系の中で最適解を導く、深みがあり歯ごたえのある設計業務

環境・ポジション面・実力があると判断した人材には早期に任せる文化、面倒見の良い育成環境・入社数年で指導役として若手を育てるサイクルが確立・「わいがや」のコミュニケーション文化で、行き詰まった時に相談しながら進められる

キャリア面・住友電工グループの安定基盤と、急拡大市場のスピード感を両立・顧客要求と材料制約の交点で最適解を導く、深みのある設計キャリア応募資格必須条件(MUST)下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方・光半導体デバイスの作り手としての経験:半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器などの構造設計または開発経験・光半導体デバイスの使い手としての経験:通信機器メーカー、通信モジュール/光トランシーバメーカー、光通信システムメーカー、光計測機器メーカー等のユーザーサイドで、光デバイスを組み込んだ製品の設計・開発・評価を担当された経験・研究経験:光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する材料・プロセス・構造・測定・物性いずれかの研究経験(ポスドク、修士・博士論文テーマを含む)歓迎条件(WANT)下記いずれか満たす方は特に歓迎します・EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等、高速光通信デバイスの設計経験・量子井戸構造、電界吸収型変調器、DFBレーザの設計経験・MOCVD等によるエピタキシャル結晶成長の知見・光通信システム・光ネットワーク設計の経験求める人物像・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方(簡単に諦めない姿勢)・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方・「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方