【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)

ポジション概要

携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。具体的な仕事内容

主な業務・試作デバイスの特性評価(高周波特性、DC特性、信頼性)とフィードバック・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化

扱う技術領域・化合物半導体:GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等・デバイス構造:HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等・応用:ポスト5G基地局向けパワートランジスタ

開発フロー(目安)顧客/社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。基礎学問の素養をお持ちであれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。キャリアパス当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。組織構成電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。本ポジションの魅力

技術面・材料・物性・通信を横断する「電子デバイスの総合格闘技」を、若いうちから経験できます。・GaN HEMTという、世界的に需要が拡大する高周波パワーデバイスの量産・製品開発の最前線に関われます。・デバイス評価から歩留改善、顧客対応まで、製品を世に出す一連のプロセスに携われます。

環境・ポジション面・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。・住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。