設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計)

職種及び業務内容: 設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計) パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計 チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上 パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応 応募資格: IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験 デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験 シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者(電界、拡散、応力、熱解析) ゲートドライバ設計経験 プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験 各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験 顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験 TOEIC500点以上が望ましい 勤務地: 東京都港区 募集人数: 10名~20名 採用時期: 随時