半導体材料製造装置 SiC・酸化ガリウム結晶育成装置
第一機電
高周波加熱でSiCと酸化ガリウムの単結晶を育てる装置メーカー
パワー半導体の材料になるSiCや酸化ガリウムの単結晶を育てる装置メーカーで
2～8インチのSiCを育成する昇華法の量産装置を持ちます。
第一機電は SiC単結晶育成装置 などの化合物半導体向け装置を2002年に売り出しました。 いまは 昇華法装置S278・S380 で2～8インチのSiC単結晶を育てます。
- 茨城2工場の合計面積 3,764㎡ 装置製造の第1工場1,730㎡、実験・受託の第2工場2,034㎡
- 平均勤続年数 15.1年 平均年齢44歳、3年定着率100％
- 有給休暇の取得割合 87.8% 2024年度、平均月残業12.9時間
社員の男女比
- 男性7割
- 女性3割
この会社の要点
01立ち位置
何の会社として比べるか
SiCや酸化ガリウムの単結晶を、最高1900～2500℃の加熱で育てる・処理する装置を作る会社です。 装置は茨城の2工場で作り、実験と受託生産も受けます。
半導体向け装置の最高温度
装置別の最高加熱温度
茨城2工場の役割
工場面積
SiC単結晶育成
SiCのバルク結晶（大きな塊の単結晶）を育てる装置です。 原料を真空や不活性ガス中で加熱して昇華させ、種結晶に析出させます。 対象は2～8インチのSiC単結晶で、最高2500℃、圧力は10～100torr±1torrで制御します。 会社はSiCバルク育成で数多くの実績を持つ量産装置とうたいます。
- S278
- S380
SiC・AlN単結晶育成
融液の界面にシード（種結晶）を浸し、シード軸とるつぼを動かしながら単結晶を育てます。 対象は2～8インチのSiC・AlN単結晶で、最高2300℃です。 会社は低温度域・低電力での育成を特長に挙げます。
- 溶液法装置
ウェーハ熱処理
イオン注入後の活性化を目的とした熱処理装置です。 反応炉と冷却室を分けたシャトル方式で、急加熱と急冷却を両立します。 4～6インチのウェーハを最高1900℃、1枚20分で処理します。 イオンテクノセンターがこの装置で活性化アニールの受託を行っています。
- RSA-04
- RSA-06
酸化ガリウム単結晶育成
酸化ガリウム単結晶の育成に使われる装置です。 会社は電力ロスが極めて少ない未来の半導体素材を育てる装置と位置づけます。 EFG法は板状・円筒状・角柱状など結晶の形を制御できる育成法で、対象は2～6インチ、最高2200℃です。
- EFG単結晶育成装置
酸化物・Si単結晶育成
CZ（チョクラルスキー）法で単結晶を引き上げる装置で、会社はCZ法育成炉のベストセラーと位置づけます。 LT／LN、サファイア、Siなどに使い、出力は10～200kWです。 自社考案のADC制御で、シードタッチ後の育成を自動化しました。
- 丸型チャンバー引上げ装置
02収益
どこで、どれくらい儲けているか
結晶育成装置は高周波誘導加熱で結晶を育てます。 SiCでは2～8インチを対象にした装置を2方式で持ち、酸化ガリウムとRTA炉は6インチまでです。
装置別の対象径（上限）
03強みとリスク
強みと、リスク・検討点
強みは、加熱源の高周波電源から結晶の自動育成制御までを自社で持つことです。 顧客は導入前に、自社の実験設備で条件を試せます。
強み
- SiCバルク育成の量産装置を持つ
昇華法装置S278・S380は2～8インチのSiC単結晶が対象で、会社はSiCバルク育成で数多くの実績を持つ量産装置とうたいます。 1torrから大気圧まで、微量な圧力制御ができます。
昇華法装置 S278／S380 - 加熱源の高周波電源を自社で作る
IGBT・SiCインバータ式、真空管式など4系列の高周波電源をそろえます。 電源変動が±10％あっても、出力変動は±0.05％以内に収まります。 研究開発用から量産設備まで対応します。
高周波電源 - 導入前に試せる実験設備
400～3000℃に対応した装置を常時動かせる状態で管理し、顧客の事前検証に貸し出します。 小ロットの受託生産も引き受けます。 Phoenics・JMAGで炉内の温度分布を事前に解析することもできます。
オープンラボ - 結晶の自動育成制御
CZ炉は自社考案のADC制御で、シードタッチ後の育成を自動で進めます。 結晶重量を測るロードセルの最小分解能は1/100000です。
丸型チャンバー引上げ装置（CZ法）
リスク・検討点
- パワーエレクトロニクスは8分野のうちの1つ
装置の用途は、パワーエレクトロニクス、航空宇宙、次世代自動車、先進医療機器など8分野に広がります。 パワーエレクトロニクス向けに挙がる製品は、溶液法装置、昇華法装置、EFG装置など5製品です。 ホットプレスや焼結装置も同じ会社の製品群に並びます。
事業紹介 - RTA炉の多数枚処理は4インチまで
RTA炉の処理寸法は4～6インチです。 多数枚の同時処理ができるのは4インチウェーハの場合で、枚葉では1枚20分かかります。
高温急冷アニール装置（RTA炉） - 工場は都心から特急で約2時間
装置を作る2工場は茨城県北茨城市にあります。 品川駅から高萩駅まで特急で約2時間、そこからタクシーで約15分の距離です。
会社概要
04待遇
給与、初任給、休日、手当
休みを取りやすく、長く勤める人が多い会社です。 平均年間休日は125日、有給休暇の取得割合は87.8％です。
05勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
本社は東京都調布市、装置を作る2工場は茨城県北茨城市にあります。 募集の勤務地は茨城工場か東京本社です。
主な勤務地・拠点
- 東京本社
- 東京都調布市下石原にあり、京王線調布駅北口から徒歩約10分です。
- 茨城第1工場
- 装置製造専門の工場で、面積は1,730㎡です。
- 茨城第2工場
- 実験・受託専門の工場で、面積は2,034㎡です。 第1工場と同じ北茨城市中郷町にあります。
面接で使う技術語
- 昇華法
- 溶液法
- EFG法
- CZ法
- 高周波誘導加熱
- ADC制御
- 活性化アニール
- ロードセル
製品ページと設計教育に出てくる工程名・技術名です。
06これから
会社が次に取りにいくもの
半導体材料向けでは、酸化ガリウムのEFG装置、SiC・AlNの溶液法装置、SiC素子を使った自社電源を手がけます。
これからの材料
- 酸化ガリウム
- EFG装置で2～6インチの単結晶を育て、会社は未来の半導体素材と位置づけます。 EFG単結晶育成装置
- SiC・AlN
- 溶液法装置で2～8インチの単結晶を、低温度域・低電力で育てます。 溶液法装置
- 高周波電源
- SiCインバータ式のHPIシリーズを含む4系列で、研究開発用から量産設備まで対応します。 高周波電源
酸化ガリウム単結晶
会社は酸化ガリウムを電力ロスが極めて少ない未来の半導体素材と位置づけます。 EFG装置で2～6インチの単結晶育成に対応し、温度や結晶重量のデータをすべて出力できます。 酸化ガリウムは、会社が未来の半導体素材と位置づける材料です。
SiC・AlNの溶液成長
溶液法装置は2～8インチのSiC・AlN単結晶を対象に、低温度域・低電力での育成を掲げます。 長時間育成でも安定した制御を保ち、周波数切替式も選べます。 会社が溶液成長法の開発用SiC単結晶育成装置を売り出したのは2004年です。
SiC素子を使った自社電源
2013年にSiCモジュールを採用した新型高周波電源の開発を始めました。 2015年にHPI・MEIシリーズとして売り出し、省スペースと省電力を両立させています。 会社は高周波電源を研究開発用途から量産設備まで向けにそろえます。
07入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
技術系の入口は、理系学部が対象の開発・設計と、全学部が対象の製造・メンテナンスの2つに分かれます。
面接で使う技術語
- 開発
- 高周波誘導加熱
- 電気設計
- 高周波電源
- 機械設計
- 機械図面
- ソフト設計
- 制御ソフト
- メンテナンス
- 技術系
勤務地は茨城工場または東京本社です。
他社との違いを一言で
- 半導体向けCZ育成炉
Linton Crystal Technologies
LintonはKX240・KX320・KX360を半導体用の結晶育成炉として掲げ、ホットゾーンは200mm・250mm・300mmウェーハ向けです。第一機電のSi関連はCZ炉と多結晶Si凝固装置で、半導体材料ではSiC・酸化ガリウムの育成装置を持ちます。
- 研究用結晶育成炉
Materials Research Furnaces
MRFはCZ・Bridgman・Stepanov法の育成炉を持ち、最高温度は2600°C、結晶は直径50mm・高さ200mmの研究室規模です。SiC結晶育成向けの特注設計も手がけています。第一機電はSiCで2～8インチを対象にした量産装置を持ちます。
- 結晶育成炉システム
Thermal Technology
Thermal TechnologyはCZ・EFG・キロプロス法の育成炉とADC（自動直径制御）を持ちます。第一機電もEFG装置とADC制御を持ち、EFGは酸化ガリウム単結晶の育成に使われています。
出典16件
- 公式 会社概要 株式会社第一機電 · 設立、資本金、本社、茨城第1・第2工場の面積
- 公式 会社沿革 株式会社第一機電 · 設立、増資、化合物半導体向け装置、高周波電源の年表
- 公式 事業紹介 工業炉・結晶育成装置・高周波電源 · 8分野と関連製品
- 公式 昇華法装置 S278／S380 SiC単結晶育成装置 · 育成方法、対象結晶、温度、圧力制御
- 公式 溶液法装置 SiC・AlN単結晶育成装置 · 育成方法、対象結晶、温度
- 公式 高温急冷アニール装置（RTA炉） ウェーハ活性化熱処理装置 · 用途、処理寸法、温度、処理時間
- 公式 EFG単結晶育成装置 酸化ガリウム単結晶育成装置 · 用途、対象結晶、温度、制御
- 公式 丸型チャンバー引上げ装置（CZ法） CZ法単結晶育成装置 · 応用例、出力、ADC制御、ロードセル
ほか8件
- 公式 高周波電源 高周波電源製品群 · 電源方式、出力安定性、4系列
- 公式 オープンラボ 自社実験設備 · 温度帯、受託生産、温度シミュレーション
- 採用 採用情報 株式会社第一機電の採用情報 · 職種紹介、数字で見る第一機電
- 採用 新卒採用 募集要項 株式会社第一機電の新卒採用 · 募集職種、募集学科、勤務条件、研修、採用フロー
- 採用 中途採用 募集要項 株式会社第一機電の中途採用 · 募集職種、給与、勤務条件、研修
- 公式 Linton Crystal Technologies CZ育成装置 LintonのCZ育成装置 · 半導体向けKXシリーズ、ホットゾーン寸法
- 公式 Materials Research Furnaces 結晶育成炉 MRFの結晶育成炉 · 育成法、最高温度、結晶寸法
- 公式 Thermal Technology 結晶育成炉 Thermal Technologyの結晶育成炉 · 育成法、ADC