半導体製造装置 化合物半導体エピタキシャル成長装置
エピクエスト
研究用MBEから生産用のVCSEL酸化装置へ広げた京都の装置メーカー
大学、研究機関、国内外のメーカー向けに化合物半導体の結晶成長装置を作る京都の会社です。
VCSEL用の酸化装置は2004年のVOX3001から2022年の8インチ機HiVOX8001まで世代を重ね研究用の技術を生産用の装置へ広げてきました。
エピクエストは MBE装置 とMOCVD装置を研究用から準生産用まで設計し VCSEL生産用の酸化装置 とSiC・GaN向けのKOHエッチング装置も手がけます。 社員は自分で設計した装置を自分で組み立てます。
- HiVOX8001の処理径 8インチ 2022年に製品化したVCSEL用酸化装置。 前世代のHiVOX6001は2018年発売
- HiVOX8001の受注見込み 5台 2022年の製品化時に会社が示した国内外の見込み
- MBE装置の累計出荷 100台目 2004年2月。 日新電機での事業開始からの累計
2019年度の休日の内訳採用情報
- 休日（土日・祝日など）129日
- 一斉有給休暇2日
この会社の要点
01立ち位置
何の会社として比べるか
エピクエストは化合物半導体の結晶成長装置メーカーで、顧客は大学、研究機関、国内外のメーカーです。 研究用MBE・MOCVDを土台に、VCSEL生産用の酸化装置とSiC・GaN向けのKOHエッチング装置を育ててきました。
研究用の技術を生産用の酸化装置へ
VCSEL生産用酸化装置の納入・販売開始
HiVOX6001でリアルタイムモニターを搭載しました。
MBE装置 RCシリーズ
小型研究用RC1100、高度な研究から準生産向けのRC2100/RC3100、研究・準生産用のRC6100をそろえます。 RC2100/RC3100はIII-V族に加え、II-VI族、Si系、金属系に対応します。 RC6100は大面積ホルダ（Φ8"以上）で±1%以下の均一な結晶成長をうたいます。
- RC1100
- RC2100 / RC3100
- RC6100
- GaN用マルチチャンバ型MBE装置
VCSEL用酸化装置 HiVOXシリーズ
HiVOX8001は8 インチ×1 枚、6 インチ×1 枚、4 インチ×3 枚を処理する抵抗加熱式の酸化装置です（最高加熱温度：600℃）。 会社は、MOCVD装置の技術とCFDシミュレーションで新しいヒータとガスフローを設計し、面内均一性とバッチ間の再現性を得たと説明しています。 リアルタイム画像モニターで酸化の終端を検知します。
- HiVOX8001
- 酸化処理の受託
液体原料供給MOCVD装置
小型研究用MPC1100V（Φ1インチ×1枚）、研究用MPC2100H（Φ2インチ×1枚）、研究・準生産用MPC6100（Φ6インチ×1枚）があります。 最高加熱温度は800℃（制御用熱電対値）です。
- MPC1100V
- MPC2100H
- MPC6100
SiC用超高温プロセス炉
基板は6インチまで対応、最高温度はMAX.2200℃で、1000℃→2000℃まで1分以内の急速昇温をうたいます。 加熱室と導入室の2チャンバ構成で、プロセスと搬送を自動化しています。
- SiC用超高温プロセス炉
KOHエッチング装置
6インチまでのＳｉＣウエハを、かごに入れたまま自動でエッチングする装置です。 最高加熱温度は700℃、温度安定性は±1℃で、2インチ、3インチ、4インチ基板も置けます。 エッチング液の蒸気漏れを抑える仕切機構を備えます。 仕様書には次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構への納入設備が載っています。
- KOHエッチング装置（Ni製るつぼ）
- 自動上下・回転機構
エピタキシャルウエハ
量子ドット・量子井戸のレーザ構造、面発光レーザ構造、PINフォトダイオード構造、RTD・HEMT層構造などのエピタキシャルウエハを作ります。 カスタム層構造の相談も受けます。
- 発光デバイス向け
- 受光デバイス向け
- 電子走行デバイス向け
02収益
どこで、どれくらい儲けているか
事業は装置販売、Kセルやエピタキシャルウエハなどの販売、保守・改造・移設のフィールドサービス、ガスフローシミュレーションの受託です。
4,500万円
設立時の資本金1,000万円から、2000年12月に資本金2,000万円、2002年8月に資本金3,000万円と増やし、2018年11月まで3回の増資を重ねました。
5台
2022年10月17日の製品化発表で、会社は国内・海外向けを合わせたこの台数の受注を見込んでいました。 この装置を使う酸化処理の受託も請け負っています。
03強みとリスク
強みと、リスク・検討点
強みは、VCSEL酸化装置に世代ごとにモニター機能を加え、HiVOX8001で8インチへ広げてきたことです。 HiVOX8001のヒータとガスフローにはMOCVD装置の技術を使っています。
強み
- VCSEL酸化装置を世代ごとに更新してきた
2004年のVOX3001の後、2006年にモニター付きのiVOX3001、2009年にiVOX4001、2016年にiVOX6001を出しました。 2018年のHiVOX6001ではリアルタイムモニターを載せています。
会社概要・沿革 - MOCVDの技術を酸化装置に移した
会社はHiVOX8001のヒータとガスフローを、MOCVD装置で培った技術とCFDシミュレーションで設計したと説明しています。
HiVOX8001製品化プレスリリース - 研究用の小型機から準生産用まで系列がある
MBEは低価格・省スペースの小型研究用RC1100、高度な研究から準生産向けのRC2100/RC3100、大面積ホルダで生産性をうたうRC6100をそろえます。
MBE装置 - 納入後の改造・自動化・移設まで請け負う
装置販売のほか、メンテナンス、装置改造、自動化改造、装置移設をフィールドサービスとして事業に入れています。
会社概要・沿革
リスク・検討点
- 生産用酸化装置の受注は見込みとして示された数字
HiVOX8001の5台は、2022年の製品化時点で会社が示した国内外の受注見込みです。 生産用装置の事業の大きさを測るには、実際の納入台数を聞く必要があります。
HiVOX8001製品化プレスリリース - 設計した人が組立まで担う
新卒の採用予定は数名です。 社員は自分で設計した装置を自分で組み立てます。
採用情報
04待遇
給与、初任給、休日、手当
大卒の新卒初任給は200,000円です。 賞与は年2回（5月、11月）、昇給は年1回です。
新卒初任給
- 勤務時間
- 9:00〜17:45です。
- 休日
- 完全週休2日制（土日）と祝日です。 2019年度の休日は131日でした。
- 勤続・有給
- 平均勤続年数は14.8年、平均有給取得日数は9.8日（2018年度）です。 採用情報
- 研修・手当
- 新人導入研修と全社員研修があり、資格取得による手当もあります。
05勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
拠点は京都市南区の本社・工場です。 開発・設計・製造の勤務地も京都市南区です。
装置の仕事の流れ
- 開発
- 機械設計
- 組立
- 調整
- 納入
- 保守
- 改造・移設
社員は自分で設計した装置を自分で組み立てます。
応募の準備
- MBE、MOCVD、VCSEL酸化、SiC・GaN向け装置から関心のある装置を選ぶ
- CAD、設計、組立、調整の経験を装置の動きと結びつけて説明できるようにする
- 採用情報の応募フォームから応募する
06これから
会社が次に取りにいくもの
今後を見る軸は、VCSEL酸化装置の大口径化と、SiC・GaN向けの欠陥解析装置です。
これからの材料
VCSEL酸化の大口径化
会社はHiVOX8001の開発背景に、顔認証の3Dセンシング、光ファイバ通信、LiDARなどでのVCSEL需要の拡大と、世界でのウエハ大口径化の動きを挙げています。 2022年の製品化時点で、会社は国内外で5台の受注を見込んでいました。
SiC・GaNの欠陥解析装置
2021年10月に8インチ用KOHエッチング装置の販売を始め、2024年3月にCE機の国内販売を始めました。 2023年5月には電子デバイス産業新聞がKOHエッチャーの好調を報じています。
07入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
新卒の職種は開発・設計・製造で、採用予定は数名です。 CADが使えない人には会社が指導します。
面接で使う技術語
- Mechanical Design
- CAD
- Vacuum
- MBE
- MOCVD
勤務地は京都市南区です。
他社との違いを一言で
- SiC・GaNの成長装置
ニューフレアテクノロジー
EPIREVO S8は200㎜の枚葉式SiCエピ装置、G8は150mm/200㎜のSi基板向けGaN MOCVDです。エピクエストのSiC向け製品は6インチまで対応した超高温炉と、欠陥解析用のKOHエッチング装置です。
- 研究用MBE
Veeco
GENxplorは基板径3”までの化合物半導体研究向けで、リアクタと電子機器を1つのフレームに収めます。エピクエストは小型研究用RC1100から大面積ホルダ（Φ8"以上）のRC6100まで持ちます。
- 研究用MBEの構成
Riber
Riberの研究用MBEは最大12個のソースポートを持ち、試料搬送を手動か全自動から選べます。エピクエストはMBEとMOCVDをつないだマルチチャンバ装置も出しています。
出典14件
- 公式 公式サイト（更新情報）
- 公式 会社概要・沿革
- 公式 製品一覧
- 公式 MBE装置
- 公式 液体原料供給MOCVD装置
- 公式 SiC用超高温プロセス炉
- 公式 KOHエッチング装置仕様
- 公式 その他製品・解析サービス