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三重大学三重県・関西

半導体デバイス研究室

Semiconductor Device Lab.

大学院工学研究科 電気電子工学専攻

教授 三宅 秀人

三宅 秀人: 1963年生・63歳 出典

研究内容

  • 窒化物半導体結晶成長
  • MOVPE
  • 深紫外LED
  • スパッタ・高温アニールAlN(三宅方式)
  • AlGaN系光デバイス
  • ワイドバンドギャップ半導体

A以上の学会発表10件 · 2019–2026年

  • 2026年1件
  • 2025年5件
  • 2024年1件
  • 2022年1件
  • 2020年1件
  • 2019年1件

共同研究先6社