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講座集 / 2次元材料のデバイス

VOL.10

2次元材料のデバイス

報告された移動度のうち、チャネル由来の分とコンタクト由来の分を分ける。

回
2
通して読む目安
0.8 h
出典
13
対象
新材料のデバイス評価に関わる人。半導体デバイスの初歩とオームの法則が分かれば読める。
読み終えたときにできること
シート抵抗・コンタクト抵抗・伝送長の 3 つを同じ単位で持ち、報告された特性のどこまでがチャネル由来かを自分で切り分けられる状態を目指す。

全 2 回

  • 応用 2
  1. 01 コンタクト抵抗と移動度:分け目はチャネル長 96 nm 2 次元材料の素子を短くするほど、総抵抗に占めるコンタクトの割合が増え、測った移動度は真の値より小さく出ます。測定値が真の値の何割に当たるかを、チャネル長ごとに求めます。 25 分
  2. 02 単層 MoS₂ の遮蔽長:0.50 nm、ゲート長 20 nm の 40 分の 1 単層 MoS₂ はチャネルが薄く、静電的にはゲート長 2.5 nm まで短チャネル効果を抑えられます。公開素子のサブスレッショルド特性が理想から離れている原因は、チャネルではなくゲートスタックの界面準位にあります。 26 分