SemiMapサイト内検索

半導体材料 シリコンウェーハ

GlobalWafers

台湾のシリコンウェーハ専業と、新潟に本社がある日本法人

会社が世界3位とするシリコンウェーハ専業で、2025年の売上高は3,001億円です。
設備投資1,659億円は前年から30.7%減り、米国の新工場は顧客認定と量産立ち上げに入りました。

GlobalWafersは台湾のシリコンウェーハ専業メーカーです。 米テキサス州の新工場 は複数の大手顧客から認定を得ました。 2026年第3四半期の売上高 は736億円でした。

  • 2025年 売上高 3,001億円 前年比3.24%減。 台湾ドル高で目減りし、米ドル建てでは横ばい
  • 2025年 営業利益 425億円 営業利益率14.3%、粗利益率24.1%
  • 2026年第3四半期 売上高 736億円 前四半期比2.26%減、前年同期比2.60%増。 1〜9月は2,184億円で前年同期比4.40%減

2025年の顧客所在地別売上高

  • アジア(台湾除く)1,288億円
  • 台湾628億円
  • 欧州618億円
  • 米州458億円
  • その他7.4億円

この会社の要点

向いている入口 2027年新卒 開発技術職・製造技術職・生産技術職・情報職

技術職の対象は理系学部・学科です。

入口を選ぶ
主なリスク 新工場の減価償却が利益を削る

2025年の粗利益率は24.1%、営業利益率は14.3%でした。 新工場の稼働で減価償却費が増え、短期的に利益を圧迫していると会社自身が認めています。 売上高も台湾ドル高で前年比3.24%減りました。

強みとリスク
出典 出典一覧(19件)

公式 5件 / IR 7件 / 採用 6件 / ニュース 1件

01立ち位置

何の会社として比べるか

GlobalWafersは、半導体の土台であるシリコンウェーハの専業メーカーです。 2025年の売上高は3,001億円で、98.1%がウェーハの販売でした。

売上高の推移

2025年は前年比3.24%減、2026年上期は前年同期比7.6%減

2025年 連結財務諸表

通期の売上高

億円 · 12月決算
  • 2024年 3,101億円
  • 2025年 3,001億円

上期(1〜6月)の売上高

億円 · 2026年第2四半期 連結財務諸表
  • 2025年上期 1,565億円
  • 2026年上期 1,446億円
2026年第2四半期

日本・韓国向けが最大の売り先

2026年第2四半期 連結財務諸表

顧客の所在地別売上高

億円 · 2026年4〜6月
  • 北東アジア(日本・韓国) 177億円
  • 欧州 171億円
  • 台湾 158億円
  • その他アジア 145億円
  • 米州 91億円
  • その他 8.9億円
先端メモリなど向けシリコンウェーハ

ポリッシュト・アニールウェーハ

チップを作り込む前の土台で、表面を鏡のように磨いたウェーハです。 日本法人は先端メモリ向けの高平坦度・高清浄度品を掲げます。 水素で熱処理するHiウェーハ®は表面の結晶欠陥(COP)をなくした製品です。 内部では金属不純物を捕らえる力(ゲッタリング)を高めています。 ECAS®ウェーハは、熱処理で無欠陥層とゲッタリング層の深さを顧客のデバイスに合わせて設計します。

  • ポリッシュトウェーハ
  • Hiウェーハ®
  • Hyper Hiウェーハ®
  • ATウェーハ
パワーデバイス・MEMS向け基板

エピタキシャル・拡散・厚膜SOIウェーハ

ポリッシュトウェーハの表面にシリコン単結晶の層を気相成長させたのがエピタキシャルウェーハです。 トランジスタやダイオードの基板になり、日本法人はパワーデバイス向けに注力しています。 拡散ウェーハは主にパワーMOS-FETやIGBTに使われ、直径5・6インチです。 厚膜SOIウェーハは、MEMSで絶縁層を深掘りエッチングの止め層として使います。

  • エピタキシャルウェーハ
  • 拡散ウェーハ
  • 厚膜SOIウェーハ
  • 小口径両面研磨ウェーハ
シリコン・SiC・GaNウェーハ

3〜12インチと化合物半導体ウェーハ

グループは3〜12インチのウェーハを、結晶の引き上げ、切断、研削、研磨、洗浄、エピタキシャル成長まで一貫してつくります。 製品はエピタキシャル、ポリッシュト、アニール、拡散、SOI、FZウェーハです。 化合物半導体ではSiCとGaNを手がけ、SiCの結晶成長炉と熱場の設計も自社で行います。

  • 12インチウェーハ
  • SOIウェーハ
  • FZウェーハ
  • SiCウェーハ

02収益

どこで、どれくらい儲けているか

稼ぎのほぼ全部はウェーハの販売で、2025年は2,945億円でした。 利益率を下げたのは新工場の減価償却で、設備投資は2024年の2,393億円から減っています。

2025年 売上高・営業利益

売上高3,001億円 / 営業利益425億円

売上高は前年比3.24%減でした。 台湾ドル高で目減りし、米ドル建てでは横ばいです。 粗利益率は24.1%、純利益は361億円、1株当たり利益は75.72円/株でした。

2026年第2四半期 売上高・営業利益

売上高752億円 / 営業利益69億円

売上高は前四半期比8.8%増えました。 粗利益率は20.6%、営業利益率は9.4%です。 上期の売上高は1,446億円で、前年同期比7.6%減でした。

2025年 設備投資(有形固定資産の取得と設備の前払い)

1,659億円

2024年の2,393億円から30.7%減りました。 それでも売上高3,001億円の55.3%にあたります。

2025年末 契約負債(顧客からの前受金)

1,162億円

前年末の1,511億円から減りました。 顧客が出荷前に払った代金で、製品の引き渡しとともに売上に変わります。

2025年 研究開発費

109億円

売上高の3.66%で、2024年は3.70%でした。 2026年は売上高の3〜5%を研究開発に充てる計画です。

2025年の製品区分別売上高

億円 · 連結財務諸表
  • 半導体ウェーハ 2,945億円 売上高の98.1%
  • 半導体インゴット 42億円 2024年は67億円
  • 電力販売 8.4億円
  • その他 4.9億円

設備投資(有形固定資産の取得と設備の前払い)

億円 · 連結キャッシュ・フロー計算書
  • 2024年 2,393億円
  • 2025年 1,659億円
  • 2025年上期 945億円
  • 2026年上期 280億円

03強みとリスク

強みと、リスク・検討点

強みは世界の出荷の15〜20%を占める規模と、9か国18拠点で顧客の近くで作る体制です。 弱点は新工場の減価償却と、売上の22.9%を占める上位2社への依存です。

強み

  • 世界の出荷の15〜20%を占める上位5社の一角

    会社は自社の出荷を世界の半導体ウェーハの約15〜20%と推計し、世界3位と見ています。 上位5社で世界シェアの90%超を占めます。 残る4社は信越化学工業、SUMCO、Siltronic、SK Siltronです。

    2025年 年次報告書(英文)
  • 9か国18拠点で顧客の近くで作る

    米州・欧州・アジアの9か国に18の拠点を持ちます。 各国の規制に合わせて生産能力を割り振れると会社は述べています。 米国の新工場は量産の立ち上げと顧客認定の段階に入りました。

    2025年 年次報告書(英文)
  • 日本の工場が記録を更新

    新潟工場は2026年第3四半期も四半期売上高の過去最高を更新し、3四半期続けて伸びました。 9月の売上高は月次でも過去最高です。 宇都宮工場は第2四半期に、6月・第2四半期・上期の出荷で記録を更新しています。

    2026年9月・第3四半期 売上高の発表
  • 日本子会社は安定して黒字

    2025年に親会社がグローバルウェーハズ・ジャパンについて計上した投資利益は50億円でした。 会社は日本の2社とも事業と利益が安定していると見ています。 増設中のイタリア子会社の損失は46億円です。

    2025年 年次報告書(英文)
  • 特許2,737件とSiC結晶成長炉の内製

    2025年末の有効な特許出願は世界で2,737件で、うち1,808件が登録済みです。 SiCの結晶成長炉と熱場を自社で設計し、結晶の品質で差をつけています。

    2025年 年次報告書(英文)

リスク・検討点

  • 新工場の減価償却が利益を削る

    2025年の粗利益率は24.1%、営業利益率は14.3%でした。 新工場の稼働で減価償却費が増え、短期的に利益を圧迫していると会社自身が認めています。 売上高も台湾ドル高で前年比3.24%減りました。

    2025年通期 決算発表
  • 固定資産の半分が米国

    2025年末の非流動資産5,457億円のうち、米国が2,893億円で53.0%を占めます。 イタリアは823億円、日本は779億円です。 減価償却費と償却費の合計は443億円で、前年から10.9%増えました。

    2025年 連結財務諸表(英文・監査済み)
  • 売上の22.9%を上位2社に依存

    2025年は顧客Cが売上の12.0%、顧客Kが10.9%を占めました。 金額は360億円と327億円です。 原料のシリコンも、最大の仕入先1社が仕入高の22.79%を占めます。

    2025年 年次報告書(英文)
  • イタリアの8インチラインで火災

    2026年7月20日、イタリア・ノヴァーラ工場の8インチラインで火災が起きました。 9月14日に一部の操業を再開し、エピタキシャル工程の最初の製品が出荷されました。 支援する拠点がフル稼働のため、会社はノヴァーラの能力と売上の完全な回復には時間がかかると見ています。

    イタリア・ノヴァーラ工場の一部操業再開
  • 中国勢の参入と為替

    会社は、中国が国内の半導体産業の育成を強め、競争が激しくなったと見ています。 売上の多くは米ドル建てで、人件費や電力は各国の通貨で払います。 為替の動きがそのまま利益に響く構造です。

    2025年 年次報告書(英文)

04待遇

給与、初任給、休日、手当

日本法人の2026年度の初任給は、修士了28.2万円、学士卒26.2万円です。 年間休日は128日で、月平均残業は12時間です。

新卒初任給(月給)

円 · 2026年度 · グローバルウェーハズ・ジャパン
  • 博士了 30.9万円
  • 修士了 28.2万円
  • 学士卒 26.2万円
新卒の初任給
2026年度の初任給は博士了30.9万円、修士了28.2万円、学士卒26.2万円です。 昇給は年1回、賞与は年2回あります。 2027年新卒の募集 は技術職と事務職で計15名です。
勤務時間と休日
本社の勤務は8:00〜17:00で、コアタイム11:00〜15:00のフレックスタイム制です。 完全週休2日制で年間休日128日、有給休暇は初年度から18日です。
働き方の数字
日本法人単体で、月平均残業は12時間、有給取得は年平均14日です。 新卒3年間の定着率は74% で、男性社員の育休取得は100%です。
社員の構成
日本法人単体の社員は1,230名で、平均年齢44歳、平均勤続年数21年です。 直近3年の新入社員は83%が理系です。
福利厚生
社宅制度、財形貯蓄、健康保険組合の保養所があります。 育児休職 は子が満3歳になる月末まで、短時間勤務は子が小学6年生になるまで使えます。
グループ全体の従業員
グループの 2025年の従業員数は7,061人 で、平均年齢は42.9歳です。 修士・博士は合わせて9.9%、高校卒以下が58.95%を占めます。

05勤務地と職種

どこで、どんな仕事をするか

日本法人の本社は新潟県聖籠町にあり、生産拠点は新潟・山形・山口・栃木に広がります。 営業拠点は東京・品川と福岡です。

主な勤務地・拠点

本社
新潟県北蒲原郡聖籠町東港六丁目861番地5
生産拠点
新潟(聖籠/関川)、山形(小国)、山口(徳山)、栃木(宇都宮)
営業拠点
東京(品川)、九州(福岡)
会社の規模
1991年設立、資本金69億円、正規従業員1,653名従業員は関係会社を含む
グローバルウェーハズ・ジャパン 会社概要

2027年新卒の職種

  • 開発技術職(R&D)
  • 製造技術職(プロセス)
  • 生産技術職(機械設計)
  • 生産技術職(電気設計)
  • 情報職(社内SE)
  • 事務職
  • 営業職

技術職は理系学部・学科、事務職は全学部・全学科が対象です。 募集は計15名です。

新卒の選考の流れ

  1. マイナビ2027でエントリーし、会社説明会に参加する
  2. 履歴書兼エントリーシートと成績証明書を出し、SPIを受ける
  3. WEB一次面接を経て、本社で対面の最終面接を受ける
公式採用へ

06これから

会社が次に取りにいくもの

次の焦点は、建て終えた新工場を顧客認定と量産で埋められるかです。 テキサスの新工場は大手顧客の認定を得て、ミズーリの12インチSOIも量産に入りました。

これからの材料

テキサス新工場
米テキサス州シャーマンの新工場は、複数の大手顧客から認定を得ました。 マイクロンは長期契約と資金支援 で米国での調達を固めました。 第3四半期には出荷量が大きく増えています。
SOIとGaN
ミズーリの12インチSOIは、RF-SOIとシリコンフォトニクス向けが量産に入りました。 GaNは増設した30%分も受注で埋まっています。
研究開発
2026年は売上高の3〜5%を研究開発に充てる計画です。 開発テーマ には次世代3Dメモリ向けのウェーハや、先端パッケージ向けの特殊ウェーハがあります。

テキサス新工場の量産立ち上げ

米テキサス州シャーマンの新工場は、複数の大手顧客から認定を得ました。 主要顧客のマイクロンは、長期契約と資金支援で米国でのウェーハ調達を固めました。 会社は、マイクロンの長期契約で需要の見通しが立ち、テキサス新工場の能力計画を効率よく進められると見ています。

12インチSOIとシリコンフォトニクス

ミズーリ州セントピーターズの12インチSOIラインでは、RF-SOIとシリコンフォトニクス向けの製品が順次量産に入っています。 第3四半期には、シリコンフォトニクス向けの需要増でミズーリの12インチ品の需要と生産量が大きく増えました。

GaNの増設と12インチSiC

GaNの生産能力はフル稼働で、新たに増やした30%分も受注で埋まっています。 熱を逃がしやすい12インチSiCと半絶縁性SiCは、顧客評価とサンプル出荷の段階です。 12インチSiCは先端パッケージの放熱、高出力デバイス、AIサーバーなど高い熱伝導が要る用途を狙い、会社は将来のAIグラスへの展開も見込んでいます。

長期契約を前提にした増設

増設はイタリア、デンマーク、米国、日本、韓国、台湾で進みます。 新しい能力は長期契約を結んだ顧客へ優先して割り当て、前受金で能力を確保しています。 2026年9月にはGDS(グローバル預託株式)で2,265億円を調達しました。 会社は半導体の景気循環が増設分のリスクになると認識し、増設を顧客との確定した長期契約に基づいて進めています。

07入口を選ぶ

専攻から、入口を1つに絞る

まず、日本法人のどの工場でどのウェーハを作る仕事かを決めます。 入口は新卒、キャリア採用、製造オペレーターの3つです。

新卒採用(技術職)

2027年新卒 開発技術職・製造技術職・生産技術職・情報職

開発技術職(R&D)と製造技術職(プロセス)で計8名を募集します。 生産技術職(機械設計・電気設計)と情報職(社内SE)は各2名です。

2027年新卒採用 募集要項
新卒採用(事務職)

2027年新卒 事務職・営業職

事務職2名、営業職1名を募集します。 勤務地は新潟の本社のほか、各事業所と東京・福岡の事務所です。

2027年新卒採用 募集要項
キャリア採用

R&D/プロセスエンジニア

R&Dエンジニアはシリコンウェーハの研究開発で全工程に関わります。 プロセスエンジニアは製造プロセスの立ち上げ、品質改善、コストダウンを担います。 募集は4名です。

  • 品質改善
  • コストダウン
キャリア採用 募集職種

応募前の2手

  1. ポリッシュト、エピタキシャル、拡散、厚膜SOIのうち研究に近い製品を選び、使われる素子名を書き出す
  2. 募集要項で職種別の募集人数と勤務地を確かめ、マイナビ2027でエントリーする
公式採用へ

面接で使う技術語

  • 結晶成長
  • 熱処理
  • 鏡面研磨
  • 気相成長
  • ゲッタリング
  • シリコンウェーハ
  • 顧客認定
  • 長期契約
  • 研究開発
  • プロセス立ち上げ

開発技術職と製造技術職は計8名、生産技術職と情報職は各2名の募集です。

他社との違いを一言で

  • ポリッシュト・エピタキシャル・SOI・再生ウェーハ

    SUMCO

    SUMCOの製品一覧には、ポリッシュト、エピタキシャル、アニール、IC用の埋込層付きエピタキシャル、SOI、再生ウェーハがあります。GlobalWafersは3〜12インチのシリコンに加え、SiCとGaNの化合物半導体ウェーハもつくります。

  • 多結晶シリコンからの一貫生産

    信越化学工業

    純度99.999999999%の多結晶シリコンから、直径300mmで長さ1mを超える結晶を育てると記載しています。製品はラップド、ポリッシュト、拡散、エピタキシャル、SOI、アニールウェーハです。GlobalWafersの日本法人も拡散ウェーハと厚膜SOIをパワーデバイス向けに出しています。

  • 300mmまでのウェーハと3地域の生産

    Siltronic

    直径300mmまでのウェーハを手がけ、アジア・欧州・米国で生産しています。GlobalWafersも米州・欧州・アジアに生産拠点を持ち、その数は9か国18拠点です。

参照資料一覧へ

出典19件

ほか11件

他の半導体企業と比べる