- 3Q26 売上高 7兆4,006億円 前年同期比50.9%増、前四半期比17.6%増
- 3Q26 営業利益 4兆3,408億円 営業利益率58.7%
- FY2025 設備投資 6兆3,019億円 FY2024は4兆7,349億円
FY2025 用途別の売上構成
- HPC58%
- スマートフォン29%
- IoT5%
- 車載5%
- デジタル家電1%
- その他2%
この会社の要点
01立ち位置
何の会社として比べるか
TSMCは顧客が設計した半導体を量産する専業ファウンドリーです。 売上高はFY2023の10兆7,066億円からFY2025には18兆8,654億円へ増え、HPCの比率は43%から58%へ上がりました。
売上高と営業利益の推移
連結売上高
連結営業利益
HPCと先端ノードへの集中
2026年第3四半期 ノード別のウェハ売上比率
7nm以下の合計は79%です。
売上高に占めるHPCの比率
先端ロジックプロセス
HPCとスマートフォン向けに、2nmのナノシート・トランジスタ（N2）から3nm・4nm・5nmのFinFETまでを提供します。 HPC向けには最高クロックを狙うN4X・N3X・N2Xがあります。 2nmは2025年に量産に入りました。
- N2
- N2P
- N3E
- N3P
主流ロジック・特殊プロセス
7nm・12nm・16nm・28nm世代の主流ロジックと、RF、組込み不揮発メモリ、電源管理IC、センサー、ディスプレイ用チップの特殊プロセスを持ちます。 IoT向けには超低消費電力のプラットフォームがあります。
- 12FFC+
- 16FFC
- 28HPC+
- 22ULP
3DFabric（先端パッケージ）
SoICの製造サービスとCoWoSの先端パッケージで、同種・異種のチップを1つに統合します。 スマートフォン向けにはInFOを提供します。 設計側には3DIC向けのリファレンスフローを用意しています。
- CoWoS
- TSMC-SoIC
- InFO
02収益
どこで、どれくらい儲けているか
FY2025の営業利益は9兆5,890億円で、営業利益率は50.8%でした。 2026年第3四半期の営業利益率は58.7%で、第2四半期の60.3%より低い水準です。
売上高18兆8,654億円 / 営業利益9兆5,890億円
売上高は前期比31.6%増、純利益は8兆3,956億円です。 研究開発費は1兆2,205億円（FY2024は1兆112億円、FY2023は9,032億円）でした。
2nm 3% / 7nm以下 77%
ウェハ売上に占める比率です。 粗利益率は67.7%、営業利益率は60.3%でした。
売上高7兆4,006億円 / 営業利益4兆3,408億円
第2四半期の売上高は6兆2,919億円でした。 純利益は3兆7,793億円です。 粗利益率66.4%、営業利益率58.7%、純利益率51.1%でした。
売上高8兆2,753億円〜8兆5,917億円
会社は粗利益率を65%〜67%、営業利益率を56.5%〜58.5%と見込みます。 為替は米ドルあたり31.8台湾ドルを前提にしています。
2026年第3四半期 連結損益
営業利益率の推移
会社は第4四半期の営業利益率を56.5%〜58.5%と見込みます。
03強みとリスク
強みと、リスク・検討点
強みはHPC向けの先端ノードと、ウェハ製造から先端パッケージまで一社で請け負う幅です。 弱点は上位顧客への集中と、台湾に工場が集まることによる災害・電力・水のリスクです。
強み
- 売上の中心がHPCへ移った
HPCの売上比率はFY2023の43%からFY2025には58%へ上がり、スマートフォンは38%から29%へ下がりました。 会社はAIを含むHPCを成長の主な原動力としています。
TSMC 2025 Annual Report - 2nmの構成比が急に伸びた
2026年第3四半期のウェハ売上は、2nmが8%、3nmが33%、5nmが28%、7nmが10%です。 会社は第4四半期も2nmの急な立ち上がりが事業を支えると見込んでいます。
TSMC Reports Third Quarter EPS of NT$29.43 - 顧客と製品の数の多さ
2025年は305種類のプロセス技術で、534社向けに12,682製品を製造しました。
TSMC Reports Third Quarter EPS of NT$29.43 - ウェハ製造とパッケージを一社で請け負う
ウェハ製造に加えて、設計支援、マスク製作、3DFabricの先端パッケージ、テストまで提供します。 HPC向けにはSoICとCoWoSで複数のチップを1つに統合します。
TSMC 2025 Annual Report
リスク・検討点
- 上位顧客への集中が強まっている
上位十社の売上比率はFY2023の70%からFY2025には78%へ上がりました。 FY2025の最大顧客は19%、二番目の顧客は17%です。
TSMC 2025 Annual Report - 能力増強のコストが先に出る
会社は台湾、アリゾナ、熊本、ドレスデンで能力を増やしており、需要が想定どおり出なければコスト増が収益を圧迫するとしています。 FY2025の設備投資は6兆3,019億円でした。
TSMC 2025 Annual Report - 台湾の地震と電力・水
製造拠点は自然災害や電力・水の不足が起こりうる地域にあると会社は挙げています。 2025年1月に台湾で起きた地震では、同年第1四半期に262億円の損失（保険金控除後）を計上しました。
TSMC 2025 Annual Report - 営業利益率は第4四半期に下がる見通し
2026年第3四半期の粗利益率は66.4%、営業利益率は58.7%でした。 会社は第4四半期の粗利益率を65%〜67%、営業利益率を56.5%〜58.5%と見込みます。
TSMC Reports Third Quarter EPS of NT$29.43
04待遇
給与、初任給、休日、手当
FY2025末の従業員は90,557人で、日本は2,447人です。 定款で、従業員全体は年間利益の1%以上を利益分配の賞与として受け取ります。
- 業績賞与
- 2025年度の利益に対する従業員の業績賞与は5,104億円でした。 賞与の額は業績と台湾の業界慣行をもとに決めます。 詳細は 2025 Annual Report の従業員の項にあります。
- 学歴構成
- FY2025末の従業員のうち、修士は49.8%、博士は3.6%です。
- 日本の人員
- 日本の従業員はFY2023末の804人からFY2025末には2,447人になりました。
05勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
工場の多くは台湾の新竹・南部・中部のサイエンスパークにあります。 海外では中国の上海・南京、米国のワシントン州・アリゾナ州、熊本に工場があり、ドレスデンで建設を進めています。
主な勤務地・拠点
- 台湾・新竹サイエンスパーク
- 本社と複数の工場2nmの工場を含む
- 台湾・南部／中部サイエンスパーク
- 複数の工場
- 熊本県
- JASMの工場最先端の量産技術は28nm
- 神奈川県横浜市
- TSMC Japan、TSMC Design Technology Japan、TSMC Japan 3DIC R&D Center顧客対応・技術支援
- 米国・アリゾナ州
- TSMC Arizonaの工場第二・第三工場を建設中
- ドイツ・ドレスデン
- ESMCの工場（建設中）
製造に使う主な装置
- 露光装置（スキャナー）
- 洗浄・トラック装置
- 検査装置
- エッチング装置
- 炉
- ウェット装置
- イオン注入装置
- スパッタ装置
- CVD装置
- CMP装置
- テスター・プローバー
設備・プロセス職が日々向き合う装置の区分です。
06これから
会社が次に取りにいくもの
今後の焦点は、2nmの立ち上がりと海外工場の稼働です。 会社は第4四半期の売上高を8兆2,753億円〜8兆5,917億円と見込みます。
これからの材料
- 2nm
- 2025年に量産に入り、2026年第3四半期はウェハ売上の8%でした。
2nmの立ち上がりと第4四半期
会社は第4四半期の売上高を8兆2,753億円〜8兆5,917億円と見込み、2nmの急な立ち上がりを含む先端プロセスの需要が事業を支えるとしています。 見通しの下限でも、第3四半期の米ドル建て売上高（7兆3,924億円）を上回ります。 見通しは為替を米ドルあたり31.8台湾ドルとした会社の前提に立っています。
米国とドイツの工場
アリゾナの第一工場は2024年末に大量生産に入りました。 第二工場は建設中で、第三工場は2025年に着工しました。 ドレスデンのESMCは2023年6月に設立し、2024年に建設を始めました。
熊本の第二工場
JASMは2021年12月に設立し、2024年12月に量産を始めました。 ソニー、デンソー、トヨタも出資し、第二工場は2025年10月に着工しました。 TSMCの持分は約72.6%です。
07入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
まず働く場所を決めます。 日本なら熊本の工場か横浜の技術支援かで、関わる製造技術が変わります。
設備エンジニア
露光装置、エッチング装置、CVD装置、イオン注入装置などの稼働と保全を担う職種です。 会社は次世代装置を装置メーカーと共同で開発しています。
- Equipment
- Maintenance
- Uptime
- Automation
面接で使う技術語
- Integration
- Yield
- Device
- Process
- SPC
- Lithography
- Etch
- Deposition
- CMP
- Defect