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東北大学宮城県・東北

固体電子工学研究室(吹留研究室)

Solid State Electronics

電気通信研究所 計算システム基盤研究部門

准教授 吹留 博一

吹留 博一: 推定 52〜54歳(1995年学部卒業から推定) 出典

研究内容

  • Si基板上SiC薄膜成長とパワーデバイス応用
  • エピタキシャルグラフェン
  • グラフェン電界効果トランジスタ
  • オペランド顕微X線分光
  • 二次元物質のデバイス応用
  • SiC・グラフェンMEMS

A以上の学会発表8件 · 2021–2025年

  • 2025年1件
  • 2024年3件
  • 2023年2件
  • 2022年1件
  • 2021年1件

卒業生の就職先18組織

大学1

就職先の出典:fukidome.riec.tohoku.ac.jp

共同研究先3社