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Mo ALD、ロジックで2社とも先行を主張|Lamは3D NANDで量産、AppliedはWを置換

Lam ResearchはMoのALD装置ALTUS Haloを、3D NAND、DRAM、ロジックに向けて1売っている。同社は3D NANDで量産に入り、2025年7月にはファウンドリー・ロジックでも量産に入ったと述べ、DRAMでは開発を続けている。Applied Materialsは2026年2月、WのトランジスタコンタクトをMoに替えるALD装置Spectral2を発表し、2 nm以下のロジックで大手メーカーに採用されつつあるとした。ロジックでは、2社ともに自社が先行していると述べている。

ALDとは、原料ガスを交互に流して膜を原子層ずつ付ける成膜を指す。2社の出発点を比べると、それぞれが持つWの装置の延長にMoを置いていると読める。Lam Researchは、WのALDを自社が始め、20年以上にわたりコンタクトと配線の埋め込みの主流だった3と説明し、3D NANDのワード線の金属成膜で最大の設置台数を持つとする1。Applied MaterialsはMoの効果を、ロジックのコンタクトで2 nm世代まで基準になったと同社がいう自社の選択W4と比べて示す。

LamはNANDで量産に入り、ファウンドリー・ロジックとDRAMへ広げる

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Lam Researchは2025年2月、ALTUS Haloを量産向けのMoのALD装置として世界初3と発表した。すべての大手チップメーカーで認定と立ち上げが進み、韓国とシンガポールに工場を持つ3D NANDの大手と先端ロジックの工場で初期の採用が始まり、DRAMの顧客とは開発を続けているという。Micronは同じ発表で、ALTUS HaloによってMoを量産に持ち込めたと述べた。

装置は、穴の形に沿って付ける成膜と、底から選択的に埋める成膜の両方に対応する。Lam ResearchはMoについて、密着層やバリア層が要らず、多くの場合で従来のW成膜より抵抗が50%以上改善するとする3。

売上の見通しも、NANDから先に示された。Tim Archer CEOは2025年1月の決算説明会(Motley Foolの書き起こし)で、1つのチャンバーに複数のステーションを並べる自社の構造でライナーと埋め込みを順に処理できる点が顧客に評価されているとし5、Moとカーボンのギャップフィルで2025年のNAND向け出荷が数億ドルになると述べた。2026年1月の説明会では、Moの採用はNANDが先で、ファウンドリー・ロジック、DRAMの順に続き、NANDでMoの量産を決めた顧客はLamの装置を選んだ6と説明した。3D NANDでの採用の広がりと前駆体の需要はMo配線の見通しにある。

Appliedは、WのコンタクトをMoに替える装置を、自社の選択Wを基準に示す

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Applied MaterialsはSpectralを、単結晶のMoを選択的に成膜するALD装置2と説明する。1つの装置に4つの反応室を持ち、プラズマと熱の処理、時間で区切るALDと空間で区切るALDの両方に対応する。同社は、Spectralが業界の基準とする自社のEndura Volta Selective Tungstenより、重要なコンタクトの抵抗を最大15%下げるとする。選択Wの装置を持つ同社が、その後継としてMoを出したと読める。選択Wと15%の比較の基準はMoコンタクトと選択成膜で扱った。

同社によれば、Spectralは複数の顧客へ先端ロジックの生産向けに出荷済みだ4。2026年1月のブログでは、開発を速めたことが先端ロジックの大手顧客による同社のMo成膜装置の選定を後押しした7と書いた。同社が挙げる計測の役割はMoコンタクトの立ち上げと計測の学習サイクルで追った。

ロジックでは、Lamはファウンドリー・ロジックでの量産を、Appliedはコンタクト形成での主導を述べる

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Lam ResearchのArcher CEOは2025年7月の決算説明会(MarketBeatの書き起こし)で、ファウンドリー・ロジックで量産に入ったMoのALD装置を持つのは自社だけで、同じ四半期に別の大手ファウンドリーで次世代の用途の採用を得た8と述べた。Applied MaterialsのGary Dickerson CEOは、Spectralの発表から2日後の2026年2月12日の決算説明会(同じくMarketBeatの書き起こし)で、ロジックのコンタクト形成でALDのWからALDのMoへの移行を自社が主導している9と述べた。Lam Researchはファウンドリー・ロジックという市場で、Applied Materialsはコンタクト形成という工程で、それぞれ先行を述べている。

MoのALD装置の採用状況を、用途とメーカーの表で示した図。Lam Researchは3D NANDで量産、ファウンドリー・ロジックで量産、DRAMで開発中。Applied Materialsはロジックのコンタクトで生産向けに出荷。空欄はその用途での採用の発表がないことを示す。
各社の発表では、Lam Researchは3D NANDとファウンドリー・ロジックで量産、DRAMで開発中とし、Applied Materialsはロジックのコンタクトで生産向けに出荷したとする。

Lamは、GAA世代でウェーハ1枚あたりの自社の金属成膜の市場が約3倍になるとする

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Archer CEOは2025年7月の同じ説明会で、細いコンタクトではWの抵抗が上がり、Moに替えると解決するが、Moの成膜はWより遅く複雑なので、先端のGAA世代へ移るとウェーハ1枚あたりの自社の金属成膜の市場が約3倍になる8と述べた。同社は、1つのチャンバーでプラズマと熱の処理を切り替えられる構造が、Moを使う配線の層が広がるにつれて用途ごとの条件を詰めるのに向くとしている。

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