CZ法（チョクラルスキー法）ウェーハ・基板製造 › 単結晶育成
CZ法（チョクラルスキー法）は、石英るつぼで融かしたシリコンの表面に種結晶を浸し、回しながら少しずつ引き上げることで、種結晶の原子の並びを引き継いだ単結晶を成長させる方法である。大口径で重いインゴットまで育てられ、シリコンウェーハの多くがこの方法で作られる。るつぼから酸素が溶け込む点がFZ法との違いで、育てたインゴットは外周研削とスライスを経てウェーハになる1。
分類上の位置
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単結晶育成の下にある工程で、同じ分類にはほかに1工程がある。
この工程は、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」、ウェーハ・基板製造の「シリコンウェーハの加工プロセス」の手順の一部として出てくる。
- 単結晶引き上げ装置
同じ分類の工程
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- 1フジミインコーポレーテッド シリコンウェハーの加工プロセスと製品fujimiinc.co.jp ↩