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FZ法(浮遊帯域溶融法)|ウェーハ・基板製造 › 単結晶育成

FZ法(浮遊帯域溶融法)は、多結晶シリコンの棒を立てたまま一部だけを加熱して融かし、その融けた帯を棒に沿って動かすことで単結晶に変える方法である。石英るつぼを使わないため、るつぼ由来の不純物や酸素が入らず、抵抗率の高い結晶が得られる。融けた部分を支える器がないぶん大口径には向かず、大口径化しやすいCZ法と用途で使い分けられる。

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単結晶育成の下にある工程で、同じ分類にはほかに1工程がある。

CZ法(チョクラルスキー法)