ウェーハ・基板製造半導体の工程の7段階
ウェーハ・基板製造は、半導体素子を作り込む土台となる円盤状の基板を作る段階である。高純度のシリコンを単結晶に育て、インゴットの外周を研削して径をそろえ、薄く切り出した後、面取り、ラッピング、研磨、洗浄1を重ねて平坦な鏡面のウェーハに仕上げる。基板の平坦さや結晶欠陥は後の露光や素子の特性に影響するため、形状と結晶品質の両方をここで作り込む。SOIや化合物半導体などのエンジニアド基板もこの段階に含まれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”工程の分類› ウェーハ・基板製造
半導体の工程を分ける7つの段階の一つで、直下に7工程が並ぶ。
- 単結晶育成：単結晶育成は、多結晶シリコンなどの原料を融かし、原子の並びが全体でそろった一つの結晶の塊（インゴット）に育てる工程である。
- ウェーハスライス：ウェーハスライスは、単結晶インゴットを厚さ1mm程度の薄い円盤に切り分け、ウェーハの形にする工程である。
- ラッピング・鏡面研磨：ラッピング・鏡面研磨は、切り出したウェーハの厚みと平坦度を整え、外周の端面を磨き、表面を鏡のような面に仕上げる工程群である。
- SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板：SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板は、通常のシリコン単結晶ウェーハとは異なる構造や材料を持つ基板をまとめた分類である。
- ウェーハ加工損傷エッチング：ウェーハ加工損傷エッチングは、スライスやラッピングでウェーハの表層に入った傷や結晶の乱れを、薬液による化学反応で溶かして取り除く工程である。
- インゴット外周研削：インゴット外周研削は、育成した単結晶インゴットの外周を砥石で削り、直径を規定の値にそろえた真円の円柱に整える工程である。
- ベベリング（ウェーハ外周面取り）：ベベリング（ウェーハ外周面取り）は、切り出したウェーハの外周の角を削って丸め、断面を滑らかな形に整える工程である。
シリコンウェーハの加工プロセスは、フジミインコーポレーテッド シリコンウェハーの加工プロセスと製品1によると次の順に進む。
- ウェーハ製造用装置
- ウェーハ加工装置
- 研削装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”半導体設計、フォトマスク・レチクル、前工程、検査・計測、テスト、後工程
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- 1フジミインコーポレーテッド シリコンウェハーの加工プロセスと製品fujimiinc.co.jp ab