後工程｜半導体の工程の7段階

後工程とは、前工程で回路を作り込んだウェーハを薄く削って個々のチップに切り分け、外部と電気的につなぐ端子を持ったパッケージに仕上げて、基板に載せられる部品にする工程群である。リードフレーム品ではダイシング以降がチップ単位の作業になり、WLPのようにウェーハのまま端子形成や封止を済ませてから切り分ける方式もある。リードフレーム品の流れは、ダイシング、ダイアタッチ、ワイヤボンディング、モールド・封止、トリム＆フォームと進み¹、バーンインとファイナルテストを経てマーキングされる。

分類上の位置

工程の分類› 後工程

半導体の工程を分ける7つの段階の一つで、直下に11工程が並ぶ。

下位の工程

バックグラインド・ウェーハ薄化：バックグラインド・ウェーハ薄化とは、表面の回路を作り終えたウェーハの裏面を研削や研磨・エッチングで削り、厚みを減らす工程である。
ダイシング：ダイシングとは、ウェーハをダイシングテープに貼って固定し、格子状に並んだチップを切りしろに沿って1個ずつに切り分ける工程である。
ボンディング：ボンディングは、切り出したチップやウェーハを、基板やリードフレーム、別のチップやウェーハへ接合して固定し、必要に応じて電気的につなぐ後工程の工程群である。
モールド・封止：モールド・封止は、チップやワイヤなどの接続部を樹脂で覆い、外部の湿気や汚れ、機械的な力から保護する工程である。
アンダーフィル：アンダーフィルは、フリップチップ実装したチップと基板の隙間を樹脂で埋めて硬化させる工程である。
パッケージ基板・インターポーザ：パッケージ基板・インターポーザは、チップの細かい端子と、その下の基板側の粗い端子の間をつなぐ中間の配線基板を作る工程群である。
先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）：先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）は、複数のチップを1つのパッケージに高密度に集めて近い距離で結んだり、ウェーハやパネルの単位で配線と端子をまとめて作ったりする実装技術の総称である。
リッドアタッチ（蓋接合）：リッドアタッチ（蓋接合）は、組み立てたパッケージの上に蓋（リッド）やヒートスプレッダを接合する工程である。
パッケージマーキング：パッケージマーキングは、封止を終えたパッケージの表面に、型番やロットなどの識別情報をレーザーや印字で記す工程である。
トリム＆フォーム（リード切断・成形）：トリム＆フォーム（リード切断・成形）は、樹脂封止を終えたリードフレーム品から、リードどうしをつないでいたダムバーなどを切り離し、外部リードを実装に合う形へ曲げて整える工程である。
表面保護テープ貼付（BGテープ貼付）：表面保護テープ貼付（BGテープ貼付）は、裏面研削（バックグラインド）の前に、回路が形成されたウェーハ表面へ保護用の粘着テープを貼る工程である。

工程の流れ

SEAJ工程図の後工程（リードフレーム品）は、SEAJ 半導体製造工程後工程¹によると次の順に進む。

使う装置

組立用装置
パッケージング装置
半田ボールマウンタ
リード加工機

同じ分類の工程

半導体設計、フォトマスク・レチクル、ウェーハ・基板製造、前工程、検査・計測、テスト

出典

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SEAJ 半導体製造工程後工程seaj.or.jp a b