フォトマスク・レチクル半導体の工程の7段階
フォトマスク・レチクルは、露光でウェーハへ転写する回路パターンの原版を作り、使える状態に保つ段階である。設計データを描画用のデータに変換し、マスク基板にパターンを描き、欠陥を検査・修正し、洗浄してペリクルで異物から守るまでがここに含まれる。1枚のマスクが多数のウェーハへ同じパターンを繰り返し写すため、マスク上の欠陥1個が全ウェーハの同じ位置に広がる。代表的な工程に、マスクデータ準備・OPC（光近接効果補正）、マスク描画、マスク欠陥検査、マスク修正がある。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”工程の分類› フォトマスク・レチクル
半導体の工程を分ける7つの段階の一つで、直下に7工程が並ぶ。
- マスクデータ準備・OPC（光近接効果補正）：マスクデータ準備・OPC（光近接効果補正）は、設計レイアウトの図形に露光で生じる像のゆがみを見越した補正を加え、そのデータをマスク描画装置が扱える形式へ変換する工程である。
- フォトマスク製造：フォトマスク製造は、遮光膜などのパターン膜とレジストを付けたマスク基板にパターンを描画し、現像とエッチングでパターン膜を加工してマスクを仕上げる工程である。
- マスク描画：マスク描画は、マスクデータに従って、マスク基板上のレジストにパターンを直接描き込む工程である。
- マスク欠陥検査：マスク欠陥検査は、フォトマスクやレチクルのパターンに、異物や欠け、余分な付着といった欠陥がないかを調べる工程である。
- マスク修正：マスク修正は、マスク欠陥検査で見つかった欠陥を取り除いたり埋めたりして、フォトマスクを使える状態に戻す工程である。
- ペリクル：ペリクルは、フォトマスクを異物から守るため、パターン面から少し浮かせて張る、露光の光を通す薄膜である。
- フォトマスク洗浄：フォトマスク洗浄は、マスク表面に付いた粒子、有機物、残渣を取り除く工程である。
- マスク・レチクル製造用装置