マスク欠陥検査フォトマスク・レチクル
マスク欠陥検査は、フォトマスクやレチクルのパターンに、異物や欠け、余分な付着といった欠陥がないかを調べる工程である。マスクの欠陥は露光のたびに全ウェーハの同じ位置へ写り続けるため、ウェーハに写す前にマスク上で見つけて広がりを止める。光でパターンを撮像し、設計データや隣の同じパターンと比べる方法が一般的で、見つかった欠陥はマスク修正へ回される。EUVマスク向けには、露光と同じ波長で調べるアクティニック検査がある。
分類上の位置
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フォトマスク・レチクルの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
- アクティニック検査：アクティニック検査は、露光に使うのと同じ波長の光でマスクを検査する方法で、EUV露光では波長13.5nmのEUV光でEUVマスクを調べる。
- マスク検査・修正装置
- マスク欠陥検査装置