ボンディング後工程
ボンディングは、切り出したチップやウェーハを、基板やリードフレーム、別のチップやウェーハへ接合して固定し、必要に応じて電気的につなぐ後工程の工程群である。チップを据えて熱の逃げ道も作るダイアタッチ、金属線で電極と端子を結ぶワイヤボンディング、チップを裏返してバンプで直接つなぐフリップチップ、バンプを使わず面どうしを直接接合するハイブリッドボンディング、ウェーハどうしを面で貼り合わせるウェーハ接合などを含む。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”後工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに10工程がある。
- ダイアタッチ：ダイアタッチ（ダイボンディング）は、ダイシングで切り分けたチップを、基板やリードフレームの決められた位置へ決められた向きで接合する工程である。
- ワイヤボンディング：ワイヤボンディングは、細い金属線の両端をチップ上の電極とパッケージの端子にそれぞれ接合し、両者を電気的につなぐ工程である。
- フリップチップ：フリップチップは、チップの回路面を下に向けて裏返し、表面に形成したバンプで基板やインターポーザへ直接接続する実装方式で、接合はリフローのほか熱圧着（TCB）やレーザーアシストボンディング（LAB）で行う。
- ハイブリッドボンディング：ハイブリッドボンディングは、平坦に仕上げた2つの面で、誘電体どうしと金属パッドどうしを同時に直接接合する方法である。
- ウェーハ接合：ウェーハ接合は、チップに切り分ける前のウェーハを別のウェーハや支持基板と面ごと重ねて接合する工程である。
- D2W（ダイ・ツー・ウェーハ接合）：D2W（ダイ・ツー・ウェーハ接合）は、個片に切り出したダイを、切り分けていない相手のウェーハ上へ載せて接合する方式である。
- 共晶接合：共晶接合は、組み合わせた金属が共晶反応を起こす条件まで加熱し、接合層を局所的に液相にしてから冷やし固めて部材を接合する工程である。
- リフローはんだ付け：リフローはんだ付けは、接合する場所へ先に置いたはんだを、部品ごと炉で加熱して溶かし直し、部品を接合する方法である。
- TAB（テープ自動接合）：TAB（テープ自動接合）は、テープ上に形成した金属リードをチップの端子へ接合し、複数の電気接続を作る実装工程である。
- Cuクリップ接合：Cuクリップ接合は、チップ上面の電極とリードフレームの端子を、板状に成形した銅の部材（クリップ）ではんだなどを介してつなぐ接合方法である。
- ボンディング装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”バックグラインド・ウェーハ薄化、ダイシング、モールド・封止、アンダーフィル、パッケージ基板・インターポーザ、先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）、リッドアタッチ（蓋接合）、パッケージマーキング、トリム＆フォーム（リード切断・成形）、表面保護テープ貼付（BGテープ貼付）