パッケージ基板・インターポーザ後工程
パッケージ基板・インターポーザは、チップの細かい端子と、その下の基板側の粗い端子の間をつなぐ中間の配線基板を作る工程群である。共通するのは、絶縁層と銅配線を積み重ねて層間をビアで結び、チップの信号と電源を外部端子まで引き回すことにある。代表的な工程に、ビルドアップ基板の積層、ビア形成（レーザー穴あけ）、デスミア、配線形成法のSAP・mSAPがあり、芯材をガラスにしたガラスコア基板も含まれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”後工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに10工程がある。
- SAP（セミアディティブ法）：SAP（セミアディティブ法）は、絶縁層の上に作った薄い導電層（シード層）を下地にして、レジストで開けた回路部分だけへ銅を電解めっきで育て、最後に回路間のシード層を除いて配線を作る方法である。
- mSAP（改良型セミアディティブ法）：mSAP（改良型セミアディティブ法）は、極めて薄い銅箔を電流の通り道となる下地にし、レジストで開けた部分へ銅をめっきした後、回路間に残る薄い銅を除いて配線を作る方法である。
- ガラスコア基板：ガラスコア基板は、パッケージ基板の芯材（コア）を従来の樹脂系材料から無機のガラスに置き換えた基板である。
- ビルドアップ基板：ビルドアップ基板は、コア基板の上に絶縁層と銅配線を1層ずつ積み重ね、各層を微細なビアで下の層とつないで作る多層基板である。
- ビア形成（レーザー穴あけ）：ビア形成（レーザー穴あけ）は、パッケージ基板の絶縁樹脂層にレーザーで細い穴を開け、下層の銅配線の接続ランドまで届く開口を作る工程である。
- デスミア（ビア内残渣除去）：デスミア（ビア内残渣除去）は、基板にビアを開けたときに穴の内壁や底面へ残る樹脂の汚れ（スミア）を取り除く工程である。
- 絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）：絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）は、パッケージ基板のコアや下層配線の上に、フィルム状の絶縁樹脂を加熱・加圧して貼り付け、次の配線層の土台になる絶縁層を作る工程である。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”バックグラインド・ウェーハ薄化、ダイシング、ボンディング、モールド・封止、アンダーフィル、先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）、リッドアタッチ（蓋接合）、パッケージマーキング、トリム＆フォーム（リード切断・成形）、表面保護テープ貼付（BGテープ貼付）