絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）後工程 › パッケージ基板・インターポーザ
絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）は、パッケージ基板のコアや下層配線の上に、フィルム状の絶縁樹脂を加熱・加圧して貼り付け、次の配線層の土台になる絶縁層を作る工程である。ビルドアップ基板では層ごとにこの絶縁層を重ねて配線を多層化する。SAPやビルドアップ1層分の流れでは最初の工程にあたり、硬化した絶縁層へ続いてレーザーでビアを開ける。
分類上の位置
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パッケージ基板・インターポーザの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”SAP（セミアディティブ法）、mSAP（改良型セミアディティブ法）、ガラスコア基板、ビルドアップ基板、ビア形成（レーザー穴あけ）、デスミア（ビア内残渣除去）