mSAP（改良型セミアディティブ法）｜後工程 › パッケージ基板・インターポーザ

mSAP（改良型セミアディティブ法）は、極めて薄い銅箔を電流の通り道となる下地にし、レジストで開けた部分へ銅をめっきした後、回路間に残る薄い銅を除いて配線を作る方法である。厚い銅箔の不要な部分をエッチングで除いて配線を残す方法より削る銅が少なく、細い配線に向く。絶縁層上にシード層を作るSAPとは下地が異なり、下地銅が厚いほど最後の除去で配線の側面も削れるため、初期の銅厚とめっき厚を分けて管理する。

分類上の位置

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パッケージ基板・インターポーザの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

工程の流れ

mSAP（極薄銅箔を使う改良型）は、SemiMap 半導体用語集「mSAP」（出典: Atotech 2019）¹によると次の順に進む。

1. ビア形成（レーザー穴あけ）
2. デスミア（ビア内残渣除去）
3. 無電解めっき
4. リソグラフィ
5. Cu電解めっき
6. アッシング・レジスト剥離
7. シード層フラッシュエッチング

関連ページ

• 用語集mSAP（改良型セミアディティブ法）の詳しい解説

同じ分類の工程

SAP（セミアディティブ法）、ガラスコア基板、ビルドアップ基板、ビア形成（レーザー穴あけ）、デスミア（ビア内残渣除去）、絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）

出典

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   SemiMap 半導体用語集「mSAP」（出典: Atotech 2019）semimap.ai ↩