アッシング・レジスト剥離｜前工程 › エッチング

アッシング・レジスト剥離は、加工用のマスクとして使い終えたレジストや有機残渣を、溶剤や薬液、プラズマで取り除く工程群である。不要な有機膜を次の成膜や加工へ持ち込まないために行い、下地の形状と電気特性を保ったまま除くことが求められる。酸素プラズマでレジストを気体に変えるアッシングと、開口底の薄い残渣だけを除くデスカムが代表的な処理である。

分類上の位置

工程の分類›前工程›エッチング› アッシング・レジスト剥離

エッチングの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

下位の工程

• アッシング（プラズマレジスト除去）：アッシング（プラズマレジスト除去）は、エッチングやイオン注入の間だけ下の膜を守っていたフォトレジストを、酸素プラズマで分解して気体に変え取り除く工程である。
• デスカム（残渣除去）：デスカム（残渣除去）は、現像後に開口部の底へ薄く残ったレジストの残渣を、短時間のプラズマ処理などで取り除く工程である。

工程の流れ

この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、バンプ・RDL（再配線層）形成の「UBMからバンプ形成まで（めっきバンプ）」、リソグラフィの「フォトレジストの塗布から剥離まで（11工程）」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。

使う装置

• レジスト剥離装置

関連ページ

• 用語集アッシング・レジスト剥離の詳しい解説

同じ分類の工程

ドライエッチング、ウェットエッチング、ALE（原子層エッチング）、チャネルリリース、MEMS犠牲層リリース、メサ形成・メサエッチ