リソグラフィ前工程
リソグラフィは、ウェーハ上のレジストなどの膜にパターンを作り、後のエッチングやイオン注入で使う型にする工程群で、パターンを決める計算や、不良時のレジスト剥離と再処理も含む。代表的にはマスクのパターンを光で写して現像し、前工程の中で層ごとに何度も繰り返される。光で写す流れでは表面処理、レジスト塗布とベーク、露光、露光後ベーク、現像と進み、加工が終わるとレジストは剥がされる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- 塗布・現像：塗布・現像は、ウェーハにレジストを塗ってベークで膜を整え、外周の余分なレジストをEBR（エッジビード除去）で除き、露光後のレジストを現像液で溶かしてパターンを現す工程群である。
- 露光：露光は、ウェーハ上のレジストなどに光や電子線を当て、あるいは型を押し当てて、加工する場所の形を写し込む工程で、代表的にはフォトマスクの回路パターンを光で転写する。
- 計算機リソグラフィ：計算機リソグラフィは、フォトマスクの図形や露光装置の光源の形を、計算機によるシミュレーションで求める手法の総称である。
- DSA（誘導自己組織化）：DSA（誘導自己組織化）は、ブロック共重合体などの材料が相分離して自ら作る細かい周期構造を、下地に設けたガイドで向きと位置にそろえ、微細パターンとして使う工程である。
- マルチパターニング（多重パターニング）：マルチパターニング（多重パターニング）は、1回の露光では解像できない細かいパターンを、同じ層で複数回の露光や加工に分けて作る技術の総称である。
- リソグラフィリワーク（レジスト剥離・再処理）：リソグラフィリワーク（レジスト剥離・再処理）は、露光後の検査で重ね合わせのずれや寸法の不良が見つかったウェーハから、レジストと反射防止膜（BARC）だけを取り除き、塗布と露光をやり直す作業である。
フォトレジストの塗布から剥離まで（11工程）は、SemiMap 半導体用語集「フォトレジスト」（塗ってから剥がすまで、11の工程を通る）1によると次の順に進む。
- 脱水ベーク
- HMDS（ヘキサメチルジシラザン）プライム
- レジスト塗布・ベーク
- EBR（エッジビード除去）
- PAB（塗布後ベーク）
- 露光
- PEB（露光後ベーク）
- 現像
- リンス（純水による薬液置換）
- ポストベーク（ハードベーク）
- アッシング・レジスト剥離
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、バンプ・RDL（再配線層）形成の「UBMからバンプ形成まで（めっきバンプ）」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、SADP（自己整合ダブルパターニング）の「SADP（スペーサ型）の5段階」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成
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