コンタクト形成（MOL）｜前工程

コンタクト形成（MOL）は、FEOLで作ったトランジスタのソース・ドレインとゲートを、BEOLの最下層配線へつなぐ接続を作る工程群である。拡散層やゲートに直接触れる部分は、材料・熱処理条件・寸法が前後の工程と異なるため、ミドルオブラインという独立した区分で扱われる。代表的な工程に、接触面を低抵抗化するサリサイド（自己整合シリサイド形成）、絶縁膜の穴を金属で埋めるコンタクトプラグ形成、ゲートと短絡させずに穴を開けるSAC（自己整合コンタクト形成）がある。

分類上の位置

工程の分類›前工程› コンタクト形成（MOL）

前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。

下位の工程

• コンタクトプラグ形成：コンタクトプラグ形成は、トランジスタを覆う層間絶縁膜に穴を開けて金属で埋め、トランジスタの電極と最下層の配線をつなぐ縦の柱を作る工程である。
• サリサイド（自己整合シリサイド形成）：サリサイド（自己整合シリサイド形成）は、ゲートの上面とソース・ドレインの表面だけを、金属とシリコンの化合物（シリサイド）に変えて低抵抗にする工程である。
• SAC（自己整合コンタクト形成）：SAC（自己整合コンタクト形成）は、ゲート電極の上面と側面を窒化シリコンの膜で覆っておき、酸化膜と窒化膜のエッチング速度の差を使って層間絶縁膜にコンタクト穴を開ける工程である。

工程の流れ

この工程は、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」の手順の一部として出てくる。

関連ページ

• 用語集コンタクト形成（MOL）の詳しい解説
• 前工程CFETの裏面コンタクトで上段生存率79%
• 前工程CFETの配線を収めるimecのMRW
• 前工程7 nm以降のコンタクト抵抗は金属とSiの界面で決まる
• 前工程CFETのM0 power railはA7では任意、A5とA3では外壁フォークシートと組で入る

同じ分類の工程

リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成