CMP（化学機械研磨）前工程
CMP（化学機械研磨）は、研磨液（スラリー）の化学反応と研磨パッドによる機械的な研磨を組み合わせ、ウェーハ表面を平坦にする工程である。層を重ねるたびに表面には凹凸が残り、そのまま次の層を露光すると焦点が面内でずれてパターンが崩れる。これを防ぐため必要な層で表面を削り直し、次の層の出発点をそろえる。STIや層間絶縁膜の平坦化のほか、ダマシン法の銅配線を切り離すCu-CMPや、タングステンのプラグ形成後の研磨に使われる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- Cu-CMP（銅CMP）：Cu-CMP（銅CMP）は、ダマシン法で溝に埋めた銅と下地のバリアメタルを絶縁膜の面まで研磨して除き、隣り合う配線を電気的に分離する工程である。
この工程は、コンタクトプラグ形成の「Wプラグ（ブランケットW）」、ダマシン法の「Cuダマシン配線（シングル）」、デュアルダマシンの「デュアルダマシン（ビアファースト）」、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）の「AlCu配線（サブトラクティブ）」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。
- CMP装置
- CMP用洗浄装置
- スラリー供給装置
- リテーナリング（CMP保持リング）
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成