STI（シャロートレンチ分離）｜前工程 › 素子分離

STI（シャロートレンチ分離）は、シリコン基板の表面に浅い溝を掘って絶縁膜を埋め、隣り合うトランジスタを電気的に切り離す構造とその形成工程である。従来のLOCOS法では酸化膜が横に広がって分離に余分な面積を取ったが、STIでは掘った溝の幅のまま分離できる。工程は、熱酸化とマスク膜の成膜、ドライエッチングによる溝加工、溝内壁の熱酸化、CVD（化学気相成長）による埋め込み、CMP（化学機械研磨）による平坦化、マスク膜の除去の順に進む¹。

分類上の位置

工程の分類›前工程›素子分離› STI（シャロートレンチ分離）

素子分離の下にある工程で、同じ分類にはほかに4工程がある。

工程の流れ

STI（浅溝分離）の基本工程は、電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）¹によると次の順に進む。括弧の工程は必要に応じて行う。

1. 熱酸化
2. 成膜
3. ドライエッチング
4. 熱酸化
5. （イオン注入）
6. CVD（化学気相成長）
7. CMP（化学機械研磨）
8. エッチング

関連ページ

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同じ分類の工程

DTI（深いトレンチ分離）、MDI（中間誘電体分離）、電荷トラップ層分断（CTカット）、ディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成

出典

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   電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）ieice-hbkb.org ↩ab