熱酸化前工程 › 酸化・拡散
熱酸化は、シリコンのウェーハを酸素や水蒸気の雰囲気で加熱し、表面のシリコン自身を酸化シリコンの膜に変える工程である。外から材料を運んで積む成膜と違い、下地のシリコンを反応させて膜を作る。こうしてできた膜は、トランジスタのゲート電極とシリコンを隔てるゲート酸化膜や、STI（シャロートレンチ分離）の溝の内壁に使われてきた。酸化種と装置の違いで、ドライ酸化、ウェット酸化、ISSGに分かれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”酸化・拡散の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。
- ドライ酸化：ドライ酸化は、酸素ガスだけを流した高温の炉でシリコン表面を酸化させ、酸化シリコンの膜を育てる熱酸化である。
- ISSG（その場水蒸気生成酸化）：ISSG（その場水蒸気生成酸化）は、加熱したウェーハのある反応室の中で水蒸気を生成しながら酸化を進める、1枚ずつ処理する枚葉式の熱酸化である。
- ウェット酸化：ウェット酸化は、水蒸気を酸化種にして高温の炉でシリコン表面を酸化させ、酸化シリコンの膜を育てる熱酸化である。
この工程は、ゲート形成の「ポリシリコンゲート（ゲート酸化膜から加工まで）」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。
- 酸化装置