拡散前工程 › 酸化・拡散
拡散は、不純物（ドーパント）を高温で濃度の高い側から低い側へ広げ、ウェーハ中にpn接合などの不純物分布を作る工程である。不純物は気体や表面に置いた層などから供給し、熱でシリコン内部へ入れる。広がる深さは温度と時間からおおよそ見積もれるが、イオン注入後のアニールでは注入の損傷が初期の拡散を速め、接合が見積りより深くなる過渡増速拡散が起こる。供給の仕方で、気相ドーピング、SPD（固相拡散）、PGILDなどに分かれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”酸化・拡散の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。
- PGILD（投影型ガス浸漬レーザードーピング）：PGILD（投影型ガス浸漬レーザードーピング）は、ウェーハ表面にドーパントを含むガスを流しながらエキシマレーザーを照射し、ガスを光で分解すると同時に照射部の表層を溶かして不純物を取り込ませるドーピング方法である。
- 気相ドーピング（RTVD/RVD）：気相ドーピング（RTVD/RVD）は、ウェーハをドーパントガスに一定時間さらした後でガスを止め、表面に吸着した分子を拡散源にして急速熱処理（RTP）で不純物を内部へ入れる工程である。
- SPD（固相拡散）：SPD（固相拡散）は、不純物を入れたい領域の上に不純物を含む固体の層を置き、その層を拡散源として熱で下のシリコンへ不純物を広げる方法である。
この工程は、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。
- 拡散装置