窒化処理前工程 › 酸化・拡散
窒化処理は、すでにある酸化膜やシリコンの表面を窒素と反応させ、表面側に窒素を取り込ませる工程である。窒化膜を外から積む成膜とは別の処理で、下地そのものを変える。ゲート絶縁膜が薄くなると、ポリシリコンのゲート電極に含まれるボロンが膜を突き抜けやすくなるため、酸化膜の表面をプラズマなどで窒化してこれを抑える。窒素が界面まで届くとNBTIが増えるので、窒素を入れる深さの制御が重要になる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”酸化・拡散の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。