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窒化処理|前工程 › 酸化・拡散

窒化処理は、すでにある酸化膜やシリコンの表面を窒素と反応させ、表面側に窒素を取り込ませる工程である。窒化膜を外から積む成膜とは別の処理で、下地そのものを変える。ゲート絶縁膜が薄くなると、ポリシリコンのゲート電極に含まれるボロンが膜を突き抜けやすくなるため、酸化膜の表面をプラズマなどで窒化してこれを抑える。窒素が界面まで届くとNBTIが増えるので、窒素を入れる深さの制御が重要になる。

工程の分類›前工程›酸化・拡散› 窒化処理

酸化・拡散の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。

熱酸化、拡散、ラジカル酸化(プラズマ酸化)