酸化・拡散前工程
酸化・拡散は、ウェーハを加熱するなどしてシリコン表面を酸化し絶縁膜を作ったり、不純物をシリコン内部へ入れて広げたり、表面に窒素を取り込ませたりする前工程の工程群である。多くは熱で原子を動かす処理で、多数枚のウェーハをまとめて加熱する拡散炉で行われてきた。炉の名前は不純物の拡散工程に由来するが、酸化やアニールも同じ構造の炉で行う。主な工程には熱酸化、拡散、窒化処理、プラズマの活性種を使うラジカル酸化がある。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- 熱酸化：熱酸化は、シリコンのウェーハを酸素や水蒸気の雰囲気で加熱し、表面のシリコン自身を酸化シリコンの膜に変える工程である。
- 拡散：拡散は、不純物（ドーパント）を高温で濃度の高い側から低い側へ広げ、ウェーハ中にpn接合などの不純物分布を作る工程である。
- 窒化処理：窒化処理は、すでにある酸化膜やシリコンの表面を窒素と反応させ、表面側に窒素を取り込ませる工程である。
- ラジカル酸化（プラズマ酸化）：ラジカル酸化（プラズマ酸化）は、プラズマなどで作った酸素ラジカルを使ってシリコン表面を酸化し、酸化膜を作る方法である。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成