SMT（応力記憶技術）前工程
SMT（応力記憶技術）は、ゲート電極からチャネルへ応力を加えてシリコンの結晶をひずませ、キャリア移動度を上げる局所ひずみ技術である。応力を持つ膜で覆った状態で熱処理してゲート電極にひずみを記憶させ、膜を除いた後もその応力をチャネルに残す。上に被せた膜が押し続ける応力ライナーと違って応力の源はゲート電極で、主にn型トランジスタのオン電流を寸法を変えずに増やすために使われる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、層転写、ソース・ドレイン形成