素子分離前工程
素子分離は、同じ基板上のトランジスタやメモリセル、画素どうしの間に絶縁物の仕切りを設けたり、つながった層を切ったりして、隣り合う素子が互いに干渉しないよう切り離す工程群である。代表例に、浅い溝を絶縁膜で埋めるSTI（シャロートレンチ分離）、画素を深い溝で隔てるDTI（深いトレンチ分離）、隣接セルの拡散層を切るディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成がある。CFETで上下のゲートを隔てるMDI（中間誘電体分離）や、3D NANDの電荷トラップ層を分断するCTカットもこの工程群に含まれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- DTI（深いトレンチ分離）：DTI（深いトレンチ分離）は、隣り合う素子、イメージセンサでは画素のフォトダイオードどうしの間に深い溝を掘り、絶縁物などで埋めて分離する構造とその形成工程である。
- MDI（中間誘電体分離）：MDI（中間誘電体分離）は、CFETで上下に重ねたnFETとpFETのゲートの間に、上下を隔てる誘電体の仕切りを作る工程モジュールである。
- STI（シャロートレンチ分離）：STI（シャロートレンチ分離）は、シリコン基板の表面に浅い溝を掘って絶縁膜を埋め、隣り合うトランジスタを電気的に切り離す構造とその形成工程である。
- 電荷トラップ層分断（CTカット）：電荷トラップ層分断（CTカット）は、3D NANDフラッシュで縦に積んだメモリセルの間で、電荷を蓄える窒化膜（電荷トラップ層）を層ごとに切り離す工程である。
- ディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成：ディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成は、標準セルの境界で隣り合うトランジスタの活性領域（拡散層）を切り、セルどうしを電気的に分離する構造を作る工程である。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成