配線形成前工程
配線形成は、トランジスタとコンタクトの上に金属の配線とビアを多層に作り、素子どうしの接続と電源の供給を担う配線網を作る工程群で、主にBEOL（多層配線）にあたる。代表的な方式に、絶縁膜の溝へ銅を埋めて研磨するダマシン法、金属を削って線を残すサブトラクティブ配線、電源網をウェーハ裏面へ移すBSPDN（裏面電源供給）がある。配線間の容量を下げるエアギャップ形成や、ビア抵抗を下げるボトムライナーレスビア形成もこの工程群に含まれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- BSPDN（裏面電源供給）：BSPDN（裏面電源供給）は、チップへ電源を供給する配線網をウェーハ裏面に移し、表側の配線層は信号専用にする構成と、それを作る工程である。
- ボトムライナーレスビア形成：ボトムライナーレスビア形成は、ビア底の接続面には抵抗の高いバリア・ライナー膜を残さず、側壁にだけ必要な膜を保ったビアを作る工程である。
- コバルト配線形成：コバルト配線形成は、コバルト（Co）を局所配線やコンタクトの導体に使う配線形成で、局所配線では銅、コンタクトでは主にタングステンに代わる材料である。
- Cuリフロー：Cuリフローは、成膜した銅を加熱して下地の上を移動させ、微細な溝や穴の内部まで行き渡らせて埋める工程である。
- ダマシン法：ダマシン法は、絶縁膜に配線の溝やビアの穴を掘って金属を埋め、はみ出した分をCMP（化学機械研磨）で削り落として配線を作る方式である。
- SAV（自己整合ビア形成）：SAV（自己整合ビア形成）は、下の配線や周囲の材料が作る境界を利用して、ビアの位置と形を自動的に制限するビア形成である。
- セミダマシン配線形成：セミダマシン配線形成は、絶縁膜に開けたビアを金属で埋め、そのまま上に付けた金属膜をパターニングしてエッチングで削り、線を作った後で線と線の間に絶縁膜を入れる配線形成である。
- サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）：サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）は、金属を全面に付けてから余分な部分をエッチングで削り落とし、必要な線だけを残す配線の作り方である。
- エアギャップ形成：エアギャップ形成は、多層配線で隣り合う配線の間を固体の絶縁膜で埋めず、空洞として残す構造を作る工程である。
- メタルCVD装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成