サイドウォールスペーサ形成前工程
サイドウォールスペーサ形成は、ゲート電極の側面に絶縁膜の壁を残す工程で、ゲートとソース・ドレインの間を隔てる絶縁膜を作る。基本の作り方は、絶縁膜を全面に付けてから異方性のドライエッチングで平らな部分だけを削るもので、壁の位置はゲートの形そのもので決まる。そのためマスクを増やさずに、ソース・ドレインのイオン注入でゲートから距離を空けるマスクとして使える。ナノシートGAAでシートの間に作るインナースペーサ形成もこの工程に含まれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- インナースペーサ形成：インナースペーサ形成は、ナノシートGAAトランジスタで犠牲層のSiGeを横方向にわずかに後退させ、できたくぼみに誘電体を詰めて、ゲートとソース・ドレインを内側から隔てる膜を作る工程である。
この工程は、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成