ゲート形成｜前工程

ゲート形成は、トランジスタのチャネルにゲート絶縁膜とゲート電極を重ね、電流のオン・オフを制御する電極を作る工程群である。ポリシリコンゲートの流れでは、成膜前プリクリーンで表面を清浄にし、熱酸化でゲート酸化膜を作り、LPCVD（減圧CVD）でポリシリコンを付けて、ドライエッチングでゲートの形に加工する。先端品では、ダミーゲートを後で金属に置き換えるRMG（置換メタルゲート）を使い、ダイポール層形成などでしきい値電圧を調整する。

分類上の位置

工程の分類›前工程› ゲート形成

前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。

下位の工程

• RMG（置換メタルゲート）：RMG（置換メタルゲート）は、先にダミーゲートで形を作ってソース・ドレインを仕上げ、その後ダミーを除いた溝へメタルゲートを埋め込むゲートの作り方である。
• リモート界面層スカベンジング：リモート界面層スカベンジングは、high-kゲート絶縁膜の下にあるSiO2の界面層から、上に積んだ層に酸素を引き抜かせ、熱処理で界面層を薄くする工程である。
• ダイポール層形成：ダイポール層形成は、ゲート絶縁膜のSiO2界面層とhigh-k膜の間に、原子層程度の厚さの金属酸化物を導入する工程である。

工程の流れ

ポリシリコンゲート（ゲート酸化膜から加工まで）は、SemiMap 半導体用語集「ゲート酸化膜」¹によると次の順に進む。

1. 成膜前プリクリーン
2. 熱酸化
3. LPCVD（減圧CVD）
4. ドライエッチング

この工程は、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）」の手順の一部として出てくる。

関連ページ

• 用語集ゲート形成の詳しい解説

同じ分類の工程

リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成

出典

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   SemiMap 半導体用語集「ゲート酸化膜」semimap.ai ↩