LPCVD（減圧CVD）前工程 › 成膜 › CVD（化学気相成長）
LPCVD（減圧CVD）は、反応室の圧力を下げた状態で行うCVDである。圧力を下げるとガス分子が遠くまで届きやすくなり、縦型炉に多数枚のウェーハを並べて同時に成膜しても、ウェーハ間と面内の膜厚をそろえられる。反応を熱で進めるため基板温度が高く、すでに作り込んだ配線や素子の熱予算を圧迫する点が、低温で成膜するPECVDとの違いである。
分類上の位置
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CVD（化学気相成長）の下にある工程で、同じ分類にはほかに4工程がある。
この工程は、ゲート形成の「ポリシリコンゲート（ゲート酸化膜から加工まで）」の手順の一部として出てくる。
- 減圧CVD装置