APCVD(常圧CVD)前工程 › 成膜 › CVD(化学気相成長)
APCVD(常圧CVD)は、反応室を大気圧に近い圧力に保ったまま原料ガスを反応させ、基板上に膜を積むCVDである。真空へ大きく減圧するLPCVDとはガスの輸送と反応の条件が異なり、減圧設備への依存を減らせる。一方、気相中での反応やガスの流れの影響を受け、平面での成膜速度と深い構造の被覆性は分けて評価する。
分類上の位置
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- 常圧CVD装置