CVD（化学気相成長）｜前工程 › 成膜

CVD（化学気相成長）は、原料を含むガスを反応室へ送り込み、基板表面での化学反応によって膜を積む成膜方式である。ガスが表面に届いて反応するため、条件を選べば深い溝や穴の側壁と底にも膜を付けられる。反応を進める手段や圧力の違いにより、減圧で多数枚を一度に処理するLPCVD、プラズマで低温化するPECVD、有機金属原料を使うMOCVDなどに分かれ、温度や均一性、膜材料の要求に合わせて選ぶ。

分類上の位置

工程の分類›前工程›成膜› CVD（化学気相成長）

成膜の下にある工程で、同じ分類にはほかに8工程がある。

下位の工程

APCVD（常圧CVD）：APCVD（常圧CVD）は、反応室を大気圧に近い圧力に保ったまま原料ガスを反応させ、基板上に膜を積むCVDである。
FCVD（流動性CVD）：FCVD（流動性CVD）は、流れる性質を持つ膜をCVDで形成し、その流動によって狭い溝や隙間を底から埋める成膜方法である。
LPCVD（減圧CVD）：LPCVD（減圧CVD）は、反応室の圧力を下げた状態で行うCVDである。
MOCVD（有機金属気相成長）：MOCVD（有機金属気相成長）は、GaやAlのような金属を有機金属化合物として気化させて反応室へ運び、基板上で分解・反応させて膜を成長させるCVDである。
PECVD（プラズマCVD）：PECVD（プラズマCVD）は、プラズマで原料ガスを分解して反応を促し、熱だけで進める熱CVDより低い基板温度で薄膜を作るCVDの一種である。

工程の流れ

この工程は、コンタクトプラグ形成の「Wプラグ（ブランケットW）」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。

使う装置

CVD装置
SACVD装置（準常圧CVD装置）
メタルCVD装置
HDPCVD装置（高密度プラズマCVD装置）

同じ分類の工程

PVD（物理気相成長）・スパッタ、ALD（原子層堆積）、エピタキシャル成長、めっき、選択成膜（領域選択成膜）、スピンコート、ベベル成膜、IAP（インクジェット適応平坦化）