コンタクトプラグ形成｜前工程 › コンタクト形成（MOL）

コンタクトプラグ形成は、トランジスタを覆う層間絶縁膜に穴を開けて金属で埋め、トランジスタの電極と最下層の配線をつなぐ縦の柱を作る工程である。トランジスタを作り終えると電極は絶縁膜の下に埋まるため、上の配線へ届く導通路が必要になる。工程は、ドライエッチングで穴を開け、スパッタで下地のバリア膜を付け、CVD（化学気相成長）で金属を埋めた後、余分な金属をエッチングやCMPで除く¹。

分類上の位置

工程の分類›前工程›コンタクト形成（MOL）› コンタクトプラグ形成

コンタクト形成（MOL）の下にある工程で、同じ分類にはほかに2工程がある。

工程の流れ

Wプラグ（ブランケットW）は、電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）¹によると次の順に進む。括弧の工程は必要に応じて行う。

1. ドライエッチング
2. スパッタ
3. CVD（化学気相成長）
4. （ドライエッチング）
5. （CMP（化学機械研磨））

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同じ分類の工程

サリサイド（自己整合シリサイド形成）、SAC（自己整合コンタクト形成）

出典

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   電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）ieice-hbkb.org ↩ab