ドライエッチング前工程 › エッチング
ドライエッチングは、主にプラズマ中の反応種とイオンを使い、レジストに覆われていない部分の層を除去する加工方法である。イオンを基板へ向けて入射させる条件では縦方向へ選択的に削れ、薬液のように横へ食い込みにくいため、微細なパターンでもレジストの幅を保ったまま下の層へ写せる。基本形式はRIE（反応性イオンエッチング）で、深い穴を開ける高アスペクト比エッチングなどもこの仲間に入る。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”エッチングの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
- RIE（反応性イオンエッチング）：RIE（反応性イオンエッチング）は、反応性ガスのプラズマ中で電界により加速したイオンを基板に当て、ガスとの化学反応とイオンの衝突を組み合わせて層を削る方法である。
- 高アスペクト比エッチング：高アスペクト比エッチングは、幅に比べて極端に深い穴や溝を積層膜や基板に開けるドライエッチングで、3D NANDのチャネルホールのように多数の層を貫く構造を作るために使われる。
この工程は、コンタクトプラグ形成の「Wプラグ（ブランケットW）」、ゲート形成の「ポリシリコンゲート（ゲート酸化膜から加工まで）」、インナースペーサ形成の「ナノシートGAAのインナースペーサ形成」、LFLE（リソ・フリーズ・リソ・エッチ）の「LFLE（2回の露光と1回の転写）」、SADP（自己整合ダブルパターニング）の「SADP（スペーサ型）の5段階」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）の「AlCu配線（サブトラクティブ）」の手順の一部として出てくる。
- ドライエッチング装置
- イオンビームエッチング装置
- ベベルエッチング装置
- ESC（静電チャック）
- RF電源
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”ウェットエッチング、アッシング・レジスト剥離、ALE（原子層エッチング）、チャネルリリース、MEMS犠牲層リリース、メサ形成・メサエッチ