メサ形成・メサエッチ前工程 › エッチング
メサ形成・メサエッチは、残したい素子の領域をマスクで覆い、その周囲の半導体層をエッチングで削って、素子部分を台地(メサ)状に残す加工である。導電層の周りを切り離すことで、素子同士の分離や所定の構造を作るために行われ、化合物半導体の素子でよく使われる。露出した側壁には加工損傷や残渣が生じ、リークや耐圧に影響するため、深さだけでなく側壁の状態も確かめる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”エッチングの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”ドライエッチング、ウェットエッチング、アッシング・レジスト剥離、ALE(原子層エッチング)、チャネルリリース、MEMS犠牲層リリース