ウェットエッチング前工程 › エッチング
ウェットエッチングは、薬液に浸したり吹き付けたりして対象の膜や基板を溶かし、レジストの開口部分などから取り除く加工方法である。多くの膜では反応が全方向に進むため横にも削れるが、薬液を選べば削りたい膜と下の層とで溶ける速さに大きな差（選択比）を取れ、下地をほとんど残したまま除去できる。単結晶シリコンを結晶方位で削り分ける方式や、窒化膜だけを溶かす熱リン酸エッチなどがある。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”エッチングの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
- 結晶異方性Siウェットエッチ：結晶異方性Siウェットエッチは、KOHやTMAHなどのアルカリ薬液で単結晶シリコンを処理し、結晶の向きごとに異なる速さで削ることで、削れにくい結晶面を加工形状の側面として残す加工である。
- 熱リン酸SiNエッチ：熱リン酸SiNエッチは、加熱したリン酸系の薬液でシリコン窒化膜を溶かし、窒化膜だけを選んで取り去るウェット工程である。
- シード層フラッシュエッチング：シード層フラッシュエッチングは、パターンめっきとレジスト剥離の後に配線と配線の間に残る薄い導電層（シード層）を、短時間のエッチングで除く工程である。
- UBMエッチング：UBMエッチングは、めっきでバンプを形成しレジストを剥離した後、バンプの間に露出した薄い下地金属（UBM）を除いて端子同士を電気的に切り離す工程である。
- ウェットエッチング装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”ドライエッチング、アッシング・レジスト剥離、ALE（原子層エッチング）、チャネルリリース、MEMS犠牲層リリース、メサ形成・メサエッチ