シード層フラッシュエッチング前工程 › エッチング › ウェットエッチング
シード層フラッシュエッチングは、パターンめっきとレジスト剥離の後に配線と配線の間に残る薄い導電層（シード層）を、短時間のエッチングで除く工程である。SAPやmSAPではめっきの下地としてシード層が全面にあり、これを取らないと回路同士がつながったままになるため、配線を一本ずつ独立させるのに必要となる。時間が長すぎると厚くした配線の上面や側面まで削れるので、絶縁と配線寸法の両方から終点を決める。
分類上の位置
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ウェットエッチングの下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」の手順の一部として出てくる。