ビルドアップ基板｜後工程 › パッケージ基板・インターポーザ

ビルドアップ基板は、コア基板の上に絶縁層と銅配線を1層ずつ積み重ね、各層を微細なビアで下の層とつないで作る多層基板である。層を増やすほど多くの配線を通せるため、チップの多数の端子を外部端子まで引き回せる。1層分は絶縁フィルムのラミネート、レーザーでのビア形成、デスミア、無電解めっき、リソグラフィ、Cu電解めっき、レジスト剥離、シード層のフラッシュエッチングで、これを必要な層数だけ繰り返す。

分類上の位置

工程の分類›後工程›パッケージ基板・インターポーザ› ビルドアップ基板

パッケージ基板・インターポーザの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

工程の流れ

ビルドアップ層1層分は、SemiMap 半導体用語集「ビルドアップ基板」（出典: 味の素 事業説明会資料）¹によると次の順に進む。

1. 絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）
2. ビア形成（レーザー穴あけ）
3. デスミア（ビア内残渣除去）
4. 無電解めっき
5. リソグラフィ
6. Cu電解めっき
7. アッシング・レジスト剥離
8. シード層フラッシュエッチング

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同じ分類の工程

SAP（セミアディティブ法）、mSAP（改良型セミアディティブ法）、ガラスコア基板、ビア形成（レーザー穴あけ）、デスミア（ビア内残渣除去）、絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）

出典

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   semimap.aisemimap.ai ↩