Cu電解めっき前工程 › 成膜 › めっき › 電解めっき
Cu電解めっきは、電流を流して液中の銅イオンを析出させ、配線用の銅を付ける電解めっきである。銅はドライエッチングで加工しにくいため、絶縁膜に溝や穴を掘ってから銅を埋めるダマシン法で配線を作り、その埋め込みにこのめっきを使う。ダマシン法やデュアルダマシンの流れでは、バリアメタルとシード層を付けた後に行い、溝からあふれた銅は後のCMPで削り取る。ビルドアップ基板の配線形成にも使われる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”工程の分類›前工程›成膜›めっき›電解めっき› Cu電解めっき
電解めっきの下にある工程で、同じ分類にはほかに2工程がある。
- ハンプフリーめっき：ハンプフリーめっきは、穴や溝を銅で埋めながら、パターンの上にできるめっき膜の盛り上がり（ハンプ）を抑えて表面を平らに仕上げる電解めっきである。
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、ダマシン法の「Cuダマシン配線（シングル）」、デュアルダマシンの「デュアルダマシン（ビアファースト）」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」、TSV（シリコン貫通電極）の「Cu-TSV（ビアミドル・ビアラスト）」の手順の一部として出てくる。